• RLD4BPMP1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP1是一种波长为792nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.03A、阈值电流为10mA的激光二极管。有关RLD4BPMP1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD4BPMP2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 0.025 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP2是一种波长为792nm的激光二极管,输出功率为0.02W,工作电压为1.7V,工作电流为0.025A,阈值电流为14mA.有关RLD4BPMP2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD63NPC5 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 645 nm 输出功率: 0 to 0.006 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V 工作电流: 0.024 to 0.035 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD63NPC5是波长为630至645nm的激光二极管,输出功率为0至0.006W,工作电压为2.2至2.7V,工作电流为0.02 4至0.035A,阈值电流为24至35mA.有关RLD63NPC5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD63NZC5 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 645 nm 输出功率: 0 to 0.006 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V 工作电流: 0.024 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD63NZC5是波长为630至645nm的激光二极管,输出功率为0至0.006W,工作电压为2.2至2.7V,工作电流为0.02 4至0.035A,阈值电流为24至35mA.有关RLD63NZC5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD63PZCA 半导体激光器
    日本
    波长: 638 nm 输出功率: 7 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 33 mA 阈值电流: 28 mA

    来自Rohm Semiconductor的RLD63PZCA是红色单模激光二极管,其工作波长为638 nm,输出效率为0.8 W/A.它提供7 MW的峰值光输出功率,并具有8度的平行光束发散角和32度的垂直光束发散角。该激光二极管消耗2.2V的电压和33mA的电流。它可与行业标准&PHI5.6金属杆。这款激光二极管是传感器、条形码扫描仪、水准测量和测距应用的理想选择。

  • RLD65MFX1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 660 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 2.3 V 工作电流: 0.021 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD65MFX1是一种波长为660 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为2.3 V、工作电流为0.021 A、阈值电流为15 mA的激光二极管。有关RLD65MFX1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65MQX1 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 652 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.01 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.015 to 0.04 A

    Rohm Semiconductor的RLD65MQX1是波长为652至668nm的激光二极管,输出功率为0至0.01W,工作电压为2.3至2.8V,工作电流为0.015至0.04A,阈值电流为15至40mA.有关RLD65MQX1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65MZT7 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 652 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.015 to 0.04 A

    Rohm Semiconductor的RLD65MZT7是波长为652至668nm的激光二极管,输出功率为0至0.007W,工作电压为2.3至2.8V,工作电流为0.015至0.04A,阈值电流为15至40mA.有关RLD65MZT7的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65NZX2 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 0.025 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD65NZX2是波长为650至660 nm的激光二极管,输出功率为0至0.007 W,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为0.025至0.035 A,阈值电流为25至35 mA.有关RLD65NZX2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65PZX2 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 0.025 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD65PZX2是波长为650至660 nm的激光二极管,输出功率为0至0.007 W,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为0.025至0.035 A,阈值电流为25至35 mA.有关RLD65PZX2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65PZX3 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 650 to 664 nm 输出功率: 0 to 0.012 W 工作电压: 2.3 to 2.7 V 工作电流: 0.025 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD65PZX3是波长为650至664 nm的激光二极管,输出功率为0至0.012 W,工作电压为2.3至2.7 V,工作电流为0.025至0.035 A,阈值电流为25至35 mA.有关RLD65PZX3的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78MFA7 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 nm 输出功率: 0.003 to 0.0045 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD78MFA7是波长为790nm的激光二极管,输出功率为0.00 3至0.0045W,工作电压为1.9V,工作电流为0.035A,阈值电流为25mA.有关RLD78MFA7的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78MRA6 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 nm 输出功率: 0.003 to 0.0045 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD78MRA6是波长为790nm的激光二极管,输出功率为0.00 3至0.0045W,工作电压为1.9V,工作电流为0.035A,阈值电流为25mA.有关RLD78MRA6的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78MZM7 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 775 to 800 nm 输出功率: 0 to 0.02 W 工作电压: 1.7 to 2.2 V 工作电流: 0.007 to 0.02 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD78MZM7是波长为775至800nm、输出功率为0至0.02W、工作电压为1.7至2.2V、工作电流为0.007至0.02A、阈值电流为7至20mA的激光二极管。有关RLD78MZM7的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD78NZM5 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 775 to 800 nm 输出功率: 0 to 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.005 to 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD78NZM5是一种激光二极管,其波长为775至800 nm,输出功率为0至0.01 W,工作电压为1.8至2.3 V,工作电流为0.00 5至0.03 A,阈值电流为5至30 mA.有关RLD78NZM5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD82PZJ1 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 812 to 832 nm 输出功率: 0 to 0.22 W 工作电压: 2.4 to 3.3 V 工作电流: 0.05 to 0.07 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD82PZJ1是波长为812~832nm的激光二极管,输出功率为0~0.22W,工作电压为2.4~3.3V,工作电流为0.05~0.07A,阈值电流为50~70mA.有关RLD82PZJ1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD90QZW3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 工作电压: 16 to 22 V 工作电流: 30 A 阈值电流: 900 mA

    Rohm Semiconductor的RLD90QZW3是一种不可见的脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它提供了75W的峰值脉冲输出功率,脉冲宽度为50ns.该激光二极管的光束发散度为10度(平行)和25度(垂直),发射点精度为±150μm.其孔径尺寸为225×10μm.这款激光二极管需要16 V直流电源,阈值电流为0.9 A.它采用Ø5.6 mm TO-CAN封装,非常适合TOF传感器、测距仪、自动导引车(AGV)和安保应用。

  • RLD90QZW8 半导体激光器
    日本
    波长: 905 nm 输出功率: 120 W 工作电压: 16 V 阈值电流: 1 A 类型: Free Space Laser Diode

    Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案,并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm,光束发散度为10度(平行)和25度(垂直)。阈值电流为1 A,正向电压为16 V,正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装,非常适合车载激光雷达、自动导引车(AGV)、TOF传感器和安防应用。

  • RLD94SAQ6 半导体激光器
    日本
    波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W 阈值电流: 70 mA

    Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管,工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW,转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V,正向电流为300 mA,阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装,尺寸为3 X 2 X 0.77 mm,非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

  • 155G1S06X 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1520 to 1580 nm 输出功率: 5 W 工作电流: 0.8 to 20 A 激光增益介质: InGaAs

    来自Laser Components的155G1S06X是一款激光二极管,波长为1520至1580 nm,输出功率为5 W,工作电流为0.8至20 A,输出功率(连续波)为5 W,工作温度为-45至85摄氏度。有关155G1S06X的更多详细信息,请联系我们。