• PLT3 510 LASER DIODE 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    中心波长: 0.520um 输出功率: 10mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们了解您的需求。PLT3 510激光二极管具有单模和3.8 mm封装。PLT3 510是投影仪和机器视觉应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • 轮廓交叉转换器光谱仪FB-50xUV-VIS100FB 光纤耦合器
    德国
    分类:光纤耦合器

    来自ART Photonics的轮廓交叉转换器光谱学FB-50XUV-VIS100FB由全石英纤芯100/包层110µm制成根据要求:核心50-600µm

  • PRONTO-10K带触摸屏控制的高功率探头 激光功率计
    加拿大
    分类:激光功率计
    厂商:Gentec-EO
    最大平均功率: 10000W 有效光圈: 55mm 光谱范围: 0.19 - 20 um 冷却方式: Convection

    Gentec-EO1 W-10 kW高功率探头,带触摸屏控制。

  • PRONTO-3K带触摸屏控制的高功率探头 激光功率计
    加拿大
    分类:激光功率计
    厂商:Gentec-EO
    最大平均功率: 3000W 有效光圈: 55mm 光谱范围: 0.19 - 20 um 冷却方式: Convection

    Gentec-EO1 W-10 kW高功率探头,带触摸屏控制。

  • PRONTO-500高功率探头带触摸屏控制 激光功率计
    加拿大
    分类:激光功率计
    厂商:Gentec-EO
    最大平均功率: 500W 有效光圈: 55mm 光谱范围: 0.19 - 20 um 冷却方式: Convection

    Gentec-EO1 W-10 kW高功率探头,带触摸屏控制。

  • PRONTO-6K带触摸屏控制的高功率探头 激光功率计
    加拿大
    分类:激光功率计
    厂商:Gentec-EO
    最大平均功率: 6000W 有效光圈: 55mm 光谱范围: 0.19 - 20 um 冷却方式: Convection

    Gentec-EO1 W-10 kW高功率探头,带触摸屏控制。

  • Q1025-TxxL-H AO Q-SWITCH 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Isomet Corp
    孔径: 1.0mm 峰值光功率密度: 250MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 85% 消光比: < 10:1

    Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率,以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时,在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度,AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域,要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

  • Q1058C-SFxxL-H AO Q-SWITCH 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Isomet Corp
    孔径: 1.0-1.5mm 峰值光功率密度: 300MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 85% 消光比: < 10:1

    Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率,以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时,在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度,AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域,要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

  • q1072-sf24l ao q-switch 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Isomet Corp
    孔径: 1.5mm 峰值光功率密度: 300MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 80% 消光比: < 10:1

    Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率,以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时,在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度,AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域,要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

  • QFLD-405-10SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 404nm 输出功率: 10.4mW

    QFLD-405-10SAX光纤耦合二极管

  • QFLD-450-10S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 451nm 输出功率: 10mW

    QFLD-450-10S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-505-10S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 504nm 输出功率: 10mW

    QFLD-505-10S光纤耦合激光二极管

  • Qioptiq 100mW iFLEX-iRIS - 637nm 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq iFLEX-iRIS - 488nm 100mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.488um 输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq laserPLATE - 488nm 10-50mW 半导体激光器配件

    Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件,使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出,用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了,用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中,控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后,提供盖子以完成激光器外壳。

  • QPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S09H脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。