昂达纳秒激光系列在1064nm和532nm处的功率高达10W，是为先进的MOPA系统开发的高能播种机。ONDA是一款DPSS NS激光平台，面向需要出色光束质量和高峰值功率的高端应用，适用于金属、玻璃、塑料和各种精密硬质材料。ONDA系列还可用于266nm、355nm、532nm和1064nm，其内部光学布局和精确的温度管理可实现高输出能量，而不会影响THG和FHG级的使用寿命。根据波长的不同，ONDA可在高达100 kHz的单脉冲范围内工作，脉冲持续时间在2至15 ns之间。ONDA系列是一种OEM激光器配置，其紧凑性和易用性允许直接集成，具有卓越的灵活性和良好的性价比。ONDA还可与我们的可选CBOX控制器一起使用，该控制器具有专有的GUI软件界面，可简化激光器的远程控制和监控。

ONE系列是一种被动调Q、DPSS纳秒激光器，平均功率高达3W，或在1030nm处的脉冲能量高达100uJ。ONE系列是一种超小型、高峰值功率脉冲激光器，可配置为较大平均功率（高达3W），具有可变重复率（高达30kHz），用于标记和材料加工等应用，或配置为使用外部触发器进行操作，该外部触发器具有高达10kHz（高达1W）的出厂设置重复率，用于仪器和测量应用，如便携式激光雷达。紧凑的传导冷却ONE系列采用坚固的外壳，对设备的要求极低，使其成为各种便携式和工业应用的有用工具。

ONE-3-1是一款被动调Q、DPSS纳秒激光器，平均功率高达3W，或在1030nm处的脉冲能量高达100uJ。ONE系列是一款超紧凑、高峰值功率脉冲激光器，可配置为较大平均功率（高达3W）和可变重复率（高达30kHz），用于标记和材料加工等应用，或配置为使用外部触发器进行操作，该外部触发器具有高达10kHz（高达1W）的出厂设置重复率，用于仪器和测量应用，如便携式激光雷达。紧凑的传导冷却ONE系列采用坚固的外壳，对设备要求极低，使其成为各种便携式和工业应用中的有用工具。

OT-03是Optitask公司的一款高能量、调Q、1.54µm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这款风冷、主动调Q激光器专为现场高能激光传输而设计。该激光器的工作温度范围为-40oC至65oC，连续工作时脉冲能量超过10 MJ，脉冲半高宽（FWHM）小于30 ns，脉冲重复频率为10 Hz，输出光束直径为4 mm，光束发散角小于5毫弧度，非常适合远距离传输。所有这些功能使OT-03激光器成为测距和主动夜视等应用的强大工具。

OT-03是Optitask公司的一款高能量、调Q、1.54µm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这款风冷、主动调Q激光器专为现场高能激光传输而设计。该激光器的工作温度范围为-40oC至65oC，脉冲能量超过10mJ，脉冲半高宽（FWHM）<30ns，连续工作时脉冲重复频率为10Hz，输出光束直径为4mm，光束发散角小于5毫弧度，非常适合远距离传输。所有这些功能使OT-03激光器成为测距和主动夜视等应用的强大工具。

OT-27是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-27提供超过2 MJ的脉冲能量，半高宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-27还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

OT-29是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-29提供超过1.2 MJ的脉冲能量，半峰全宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-29还内置光电二极管用作参考。作为启动信号。

OT-37是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-37提供超过2 MJ的脉冲能量，半高宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-37还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

OT-39是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-39提供超过3 MJ的脉冲能量，半高宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-39还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Gentec-EO光电探测器，用于测量皮焦耳/脉冲的极低能量范围内的激光输出能量。

Gentec-EO PH硅光电探测器，用于VIS至NIR光谱范围内的激光输出功率测量和低于0.1W的功率范围。

Gentec-EO pH光电探测器，用于测量可见光至低近红外（NIR）光谱范围内的激光输出功率。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Art Photonics的Flexiray产品系列包括独特的高功率PIR光纤电缆，用于灵活传输CO2激光辐射。与空芯光纤相比，PIR光纤在电缆弯曲时具有更稳定的功率传输特性，且弯曲半径更小。PIR光纤末端的光谱智能处理抑制了菲涅尔反射，使输出功率提高了10-15%