• 激光二极管FIDL-50S-895X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.895um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-895X是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-895X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-905X是用MOCVD半导体激光器制备的905nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-905X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-940X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.940um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-940X是用MOCVD半导体激光器制备的940nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-940X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50S-950X是一种CW单模注入半导体激光二极管与内置监测光电二极管,以稳定输出功率。这个激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-960X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.960um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-960X是用MOCVD半导体激光器制作的960nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50S-960X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-980X是用MOCVD半导体激光器制备的980nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs多量子阱通过MOCVD半导体激光二极管。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-1064X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-730X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.730um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-730X是730nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-730X是一款CW单模注入半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mmCAN封装,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-740X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.740um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-740X是740nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-740X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-750X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.750um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-750X是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-750X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-750X-M 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.750um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-750X-M是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-750X-M是一款采用SOT-148封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-760X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.760um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-760X是760nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-760X是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-242 5.6mm封装,内置监控光电二极管以稳定输出功率,并采用TO-3封装。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。激光二极管适用于氧气检测以及其他各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-770X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.770um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付,内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-5S-775C-N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.775um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-775C-N是775nm AlGaAs/GaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-775C-N是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-795X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.795um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-795X是795nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-795X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-800X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.800um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-800X是800nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-800X是一款CW单模注入半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-808X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-830X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-830X是830nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-830X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-840X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.840um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的830-850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-840X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6毫米封装,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-5S-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25ºC下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-850X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入式半导体激光二极管内置监控光电二极管的CAN可稳定输出功率。其设计可在宽温度范围(-60ºC+70ºC)内工作,这使其成为军事、空间和恶劣工业应用的较佳激光源。该激光二极管适用于各种光电系统。