FLO-500#502是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-500#502是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电子器件系统。

FLO-500#502是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-500#502是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm激光二极管，由MBE半导体激光器制成。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm激光二极管，由MBE半导体激光器制成。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用SOT-148外壳（内置监控光电二极管）、TO-3外壳（内置监控光电二极管）、TECAND热敏电阻和C型安装。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-601–基于InGaAsP/InP异质结构的单模FP激光器，连续输出功率为10mW，发射波长为1470~1490nm。激光二极管采用INSOT-148（9mm）外壳，内置监控光电二极管，可在宽温度范围内工作，具有高输出功率稳定性和超过105小时的使用寿命。FLO-601–是报警和光学同步的较佳光源。

FNLD-05S-1053A是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1053nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1053A是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1064D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1064D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1260D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1260nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1260D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1650是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1650nm激光二极管，采用MOCVD技术制备。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-05S-1650是连续单模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10M-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10M-1060D是连续多模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1055D是一款1055nm激光二极管，MOCVD制备InGaAsP/GaAs单量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1055D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1270D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1270nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1270D是连续单模注入半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S 1300D是一款CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-30S-1035C是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1035nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-30S-1035C是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-30S-1060D是用MOCVD方法制备的1035nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-30S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FTLD-1200-05S是用MOCVD和LPE方法制备的1200nm-1270nm的GaInAsP/InP PBC量子阱激光器。FTLD-1200-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，具有高可靠性和ESD不敏感性。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1200-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1200nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1200-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1210-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1210nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1210-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。