FIDL-30M-820X是用MOCVD半导体激光器制作的820nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-30M-820X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-30M-850X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-1060X是1060nm AlInGaAs/AlGaAs多量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-1060X光源是连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-675是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-675是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-685是基于GaInAlP的685nm激光二极管MOCVD制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-685是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-695是基于GaInAlP的695nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-695是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-735X是735nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-735X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-30S-740X是740nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-740X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-30S-745X是745nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-745X是一款连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-30S-750X是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-750X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-30S-760X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/Gaal单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-760X是一种连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-30S-760X是由MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/Gaal单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-760X是一种连续单模注入半导体激光器，内置监测光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱学设备中使用激光二极管以及在各种光电系统。

FIDL-30S-770C是770nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构迪奥迪。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-770C是CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-30S-770X是770nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构迪奥迪。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-770X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-30S-820X是820nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-820X光源是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的840nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-840X光源是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-850X是850nm±10nm AlGaAs/GaAs单用MOCVD半导体激光器制作量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-850X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nm±10nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-870X光源是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。