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FOLD-785-100S-VBG是一种单模半导体激光器785nm连续输出100mW的二极管。由于集成的VBG波长固定,谱线宽度很窄。它适用于各种光电应用。
FTLD-1200-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1200nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1200-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1210-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1210nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1210-20S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1215-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1240-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1240nm激光二极管。FTLD-1240-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1250-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1250-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1300-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1300-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1345-10S是基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1345nm激光二极管,采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1345-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1370-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1370nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1370-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1380-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1380nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1380-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1390-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1390nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1390-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1410-05S是一种基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1410nm半导体激光器。FTLD-1410-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1430-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1430nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1430-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1440-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1440nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1440-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1450-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1450nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1450-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1510-13S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1510nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1510-13S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1517-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1517nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不灵敏。FTLD-1517-10S是CW单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳内置监控光电二极管和蝶形外壳内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1530-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1530-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1535-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1535nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1535-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
FTLD-1550-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1550nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1550-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。