• LT1030 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国莱昂纳多电子公司(Leonardo Electronics US)的LT1030 760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.8至2 V,工作电流为0.5至8.5 A,阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1030 760-830 nm的更多详细信息。

  • LT1030 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国Leonardo Electronics公司的LT1030 830-1100 nm是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.8至2 V,工作电流为0.5至8.5 A,阈值电流为100至700 mA.LT1030 830-1100 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • LT1040 760 -830 -1100纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国Leonardo Electronics公司的LT1040 760-830-1100 nm是波长为830至1100 nm的激光二极管,输出功率为0.5至8 W,工作电压为1.8至2 V,工作电流为0.5至8.5 A,阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1040 760-830-1100 nm的更多详细信息。

  • LT1040 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国莱昂纳多电子公司(Leonardo Electronics US)的LT1040 760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为1.8至2 V,工作电流为0.5至8.5 A,阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1040 760-830 nm的更多详细信息。

  • R1 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的R1-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.有关R1-QCW的更多详细信息,请联系我们。

  • R1 半导体激光器
    R1
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的R1是激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.9至2.1 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.有关R1的更多详细信息,请联系我们。

  • R5 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的R5-QCW是一种激光二极管,波长为830~1100nm,输出功率为80~100W,工作电压为1.85~2V,工作电流为95~330A,阈值电流为10000~28000mA.R5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • R5 半导体激光器
    R5
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的R5是激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为80至100 W,工作电压为1.9至2.1 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.有关R5的更多详细信息,请联系我们。

  • S1 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S1-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至100 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.下面可以看到S1-QCW的更多详细信息。

  • S1 半导体激光器
    S1
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S1是激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.9至2.1 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.下面可以看到S1的更多详细信息。

  • S12 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S12-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S12-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S12 半导体激光器
    S12
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    Leonardo Electronics US的S12是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至300W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.S12的更多细节可以在下面看到。

  • S14 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S14-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S14-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S14 半导体激光器
    S14
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    来自美国Leonardo Electronics的S14是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至300W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.有关S14的更多详细信息,请联系我们。

  • S15 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S15-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S15-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S15 半导体激光器
    S15
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    Leonardo Electronics US的S15是激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.9至2.1 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S15的更多细节可以在下面看到。

  • S16 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 150 W 工作电压: 2 V

    美国Leonardo Electronics的S16-QCW是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为100至150 W,工作电压为2 V,工作电流为105至165 A,阈值电流为10000至14000 mA.S16-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S16 半导体激光器
    S16
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 2.1 V

    美国Leonardo Electronics的S16是一种激光二极管,其波长为760至830 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为2.1 V,工作电流为105至165 A,阈值电流为10000至14000 mA.S16的更多细节可以在下面看到。

  • S2 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S2-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S2-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S2 半导体激光器
    S2
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V

    来自美国Leonardo Electronics的S2是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为80至100W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.S2的更多细节可以在下面看到。