• 钨质空气裂缝 光圈
    美国
    分类:光圈
    厂商:Lenox Laser
    裂缝宽度: 5um 狭缝长度: 3mm 安装: Unmounted 部件直径: 9.5mm

    高能量和高功率钨狭缝旨在用于使用高功率激光器作为源的系统的光学传递组件中。对于Q开关应用,考虑高反射狭缝盘表面和非常高熔化温度的盘材料。钨狭缝具有X射线、电子显微镜和辐射应用。我们将根据您的装配环境参数定制孔径支架。

  • 钨钢光圈 光圈
    美国
    分类:光圈
    厂商:Lenox Laser
    针孔直径: 100um 安装: Unmounted 部件直径: 9.5mm

    钨孔用于高能量和功率应用中,并且旨在用于使用高功率激光器作为光源的系统的光学传输组件中,一个实际的例子是空间滤波器组件中的孔。对于Q开关应用和高级光子源,考虑高反射孔径盘表面和非常高熔化温度的盘材料。我们将根据您的装配环境参数定制孔径支架。将莱诺克斯激光钨孔与我们的新型高功率MT-1系列支架相结合,为您的高功率应用提供完整的封装。

  • 宝石532 激光器模块和系统
    美国
    类型: Laser System 工作模式: CW Laser 波长: 532 nm 可调谐: No 激光颜色: Green

    Novanta Photonics的GEM 532是一种固态连续波激光器,工作波长为532nm.它的输出功率为100-2000mW,光束发散角小于0.8mrad.这款单横模绿色激光器的光谱带宽为30 GHz,光束指向稳定性高达10µrad/°C.它产生的光束直径为0.9 mm±0.1 mm,功率稳定性小于0.8%RMS.该激光器具有100∶1(水平)以上的偏振比和小于1.1的光束质量因子M2。它的射束角小于1mrad,相干长度接近1cm.该激光器的均方根噪声小于0.8%,噪声带宽为10 Hz-6 MHz.GEM 532采用PowerLOQTM技术,在长时间使用中具有极高的功率稳定性,并配有高功率单模和多模光纤耦合解决方案。它具有坚固的光学机械设计,可延长使用寿命并最大限度地减少停机时间。这款激光器具有高效的壁插式效率,可实现有效的热管理和简单的即插即用解决方案,从而提高生产率。它采用紧凑的台式封装,尺寸为127.5 X 83 X 42.5 mm,非常适合基于激光的诊断、分析、微加工和精细材料加工应用。

  • CRONUS-3P 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    类型: Laser System 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Femtosecond Lasers 波长: 1250 to 1800 nm 可调谐: Yes

    Cronus-3P From Light Conversion是一种基于光学参量振荡器的激光源,工作波长为1250至1800nm.输出功率超过1500mW,脉冲宽度小于85fs,单脉冲重复频率为2MHz.该飞秒脉冲激光器具有1.5-2.5mm的光束直径和小于1mrad的光束发散度。它在1250~1800nm范围内可调,覆盖了三光子显微镜(3PEF)的1.3μm和1.7μm的生物透明窗口。该激光器具有集成群延迟色散(GDD)补偿技术,可确保样品的最佳脉冲持续时间和可选的自动光束控制,以保证激光指向稳定性。它还具有自动色散补偿和自动光束大小调整和准直功能。激光源可在模块中使用,是高级非线性显微镜的理想选择。

  • HL63623HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 632 to 644 nm 输出功率: 1.6 to 1.9 W 工作电压: 2.25 to 2.8 V 工作电流: 1550 to 1850 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63623HD是AlGaInP单发射极激光二极管,输出波长为638 nm.它产生1.9W的脉冲输出功率和1.6W的连续输出功率,墙壁插头效率为43%。该多横模激光二极管分别具有10度(平行)和33度(垂直)的光束发散度。它的反向电压为2 V,阈值电流高达420 mA.该红色激光二极管需要2.25 V的直流电源,消耗高达1550 mA的电流。它采用9 mm的CAN封装,是激光投影仪、激光模块和激光电视应用的理想选择。

  • HL65241DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65241DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。该器件采用5.6 mm的DG封装,非常适合光学设备光源和传感器应用。

  • HL65242DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65242DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。它采用5.6 mm的DG封装,是光学设备和传感器应用的理想光源。

  • HL65261MG系列 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW / Pulse Laser 工作电压: 2.6 to 3.3 V 工作电流: 90 to 120 mA 阈值电流: 30 to 50 mA 激光增益介质: AlGaInP

    Ushio Inc.的HL65261MG系列是工作波长为658 nm的AlGaInP激光二极管。它们在横向模式下工作,提供85 MW(CW)和310 MW(脉冲)的光输出功率,墙上插头效率为34%。这些激光二极管的光束发散角(FWHM)为7.5°(平行)和15°(垂直),阈值电流高达50mA.它们需要2.6 V的直流电源,消耗90 mA(连续波)和245 mA(脉冲)的电流。这些激光二极管采用直径为5.6 mm的CAN封装,非常适合TOF传感器(距离传感器)、光电传感器和激光雷达应用。

  • WLD-175-405 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    工作模式: CW 波长: 405 nm 工作电压: 5 V 工作电流: 150 mA 阈值电流: 55 mA

    World Star Tech的WLD-175-405是一款蓝紫色激光二极管,工作波长为405 nm.该激光器输出功率为175mW,斜率效率为1.1W/A,垂直发散角为20°,平行发散角为9°。要求阈值电流为55 mA,反向电压高达2 V.该激光二极管功耗为150 mA,要求直流电源为5 V.采用Ø5.6 mm封装,非常适合生物医学应用。

  • LD-450-100SG 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 440 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.8 to 7 V 工作电流: 0.1 to 0.165 A

    Roithner Lasertechnik的LD-450-100SG是一款基于GaN的宝蓝色激光二极管,工作波长为450 nm.它的输出功率为100 MW,调制带宽超过100 MHz.这款单横模激光器采用TO38封装,不带光电二极管,非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

  • QL78M6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 780 nm 输出功率: 0.09 W

    Roithner Lasertechnik的QL78M6SA是一款工作波长为770至790 nm的AlGaAs红外激光二极管。它的输出功率为90 MW,LD反向电压为2 V,PD反向电压为30 V.该单横模激光二极管具有量子阱结构,可在高达60摄氏度的温度下工作。它采用5.6 mm TO-CAN封装,是工业应用的理想辐射源。

  • QL94J6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 940 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率,并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度(平行)、23-33度(垂直),光束角为±3°(平行和垂直)。它需要高达2.5 V的电源电压,功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术设计的,具有量子阱结构。它采用TO18封装,带有一个平面窗口,适合工业应用。

  • SHD4850MG 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: InAlGaN 工作模式: CW Lasers 波长: 488 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik的SHD4850MG是一款InAlGaN青色激光二极管,工作波长为488 nm.该激光器的输出功率为50mW,斜率效率为0.8W/A,阈值电流为40mA,采用多量子阱结构,工作在TE横模。它需要6 V直流电源,功耗为105 mA.这款激光二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带平面窗口,非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

  • QL63D43A/B 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 30 mA

    来自Quantum Semiconductor International的QL63D43A/B是连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm,斜率效率为0.65 MW.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它的平行光束发散度为8度,垂直光束发散度为34度。这款QL63D43A/B需要21 mA的阈值电流、30 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用3.3 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪、激光模块和条形码读取器应用。

  • QL63D4SA/B/C 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 32 mA

    Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪和激光指示器应用。

  • T-SPECTRALYZER T/R/F 光谱仪
    德国
    分类:光谱仪
    应用: THz-Time-Domain Spectroscopy, Detecting & characterizing materials, Analysing liquids and gases, Investigating moisture distributions, Distinguishing crystalline and amorphous structures, THz-Imaging, Non-destructive testing (NDT) 测量技术: IR Spectroscopy, Transmission, Reflectance 光谱仪类型: Benchtop 谱带: IR

    HÜBNER Photonics的T-Spectralyzer T/R/F是一款太赫兹光谱仪,工作频率为0.1至4 THz.它的动态范围超过70dB(0.5THz),频率分辨率为10GHz,标准测量时间为5秒。光谱仪使用太赫兹波进行操作,这是完全安全的,并且不需要昂贵的安全预防措施。它不需要任何额外的冷却或外部气体供应。光谱仪有一个大的样品盘,尺寸为335 X 240 mm2,可对样品进行非破坏性无接触分析。该光谱仪非常适合光谱成像、透射/反射测量、THz时域光谱(如检测和表征材料)、使用振幅和相位信息、分析粉末和片剂形式的化学品、分析液体和气体、区分晶体和无定形结构、确定聚合物的填充水平和区分各种异构体以及无损检测(NDT)(如识别物质,甚至通过塑料管、管道和其他包装)以及确定多层系统应用的层厚度。光谱仪需要115-230 V的交流电源,功耗小于200 W.

  • PT008-05 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    厂商:牛尾
    材料: Clear Epoxy Resin 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    来自Ushio Inc.的PT008-05是具有集电极发射极电压(击穿)30V、集电极暗电流100nA、集电极发射极电压(饱和)0.2V、发射极集电极电压(击穿)5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-05的更多详细信息,请联系我们。

  • PT008-SMC 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    厂商:牛尾
    材料: Silicone 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压(击穿)30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压(饱和)0.3V、发射极集电极电压(击穿)5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息,请联系我们。

  • PT010-05 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    厂商:牛尾
    材料: Clear Epoxy Resin 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 10 V

    Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为10 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.3 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息,请联系我们。

  • PT010-33 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    厂商:牛尾
    材料: Clear Epoxy Resin 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 10 V

    Ushio Inc.的PT010-33是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为10 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.3 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-33的更多详细信息,请联系我们。