• CVN 4S63 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 240 to 300 W 阈值电流: 800 mA 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVN 4S63是波长为905 nm、输出功率为240至300 W、阈值电流为800 mA、输出功率(CW)为240至300 W、工作温度为-40至85摄氏度的激光二极管。

  • CVN 5S63 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 300 to 375 W 阈值电流: 800 mA 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVN 5S63是波长为905 nm、输出功率为300至375 W、阈值电流为800 mA、输出功率(CW)为300至375 W、工作温度为-40至85摄氏度的激光二极管。

  • CVN 5S63-TO18T 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 500 W 阈值电流: 800 mA 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVN 5S63E-TO18T是波长为905 nm、输出功率为500 W、阈值电流为800 mA、输出功率(CW)为500 W、工作温度为-40至85摄氏度的激光二极管。有关CVN 5S63E-TO18T的更多详细信息,请联系我们。

  • CVN 63-90ECL 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 0 to 75 W 工作电流: 35 A 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管,工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒,峰值功率超过75瓦,同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴(垂直轴)和慢轴(平行轴)提供了具有等效发散值(8×8 FWHM)的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装,是关键国防应用(如现场部署的测距仪)的理想选择。

  • CVN 63 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 60 to 75 W 阈值电流: 800 mA 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVN 63是波长为905 nm、输出功率为60至75 W、阈值电流为800 mA、输出功率(CW)为60至75 W、工作温度为-40至85摄氏度的激光二极管。

  • CW 635-BF 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 0.15 to 0.15 W 工作电压: 2.1 V 阈值电流: 400 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CW 635-BF是波长为630至640 nm、输出功率为0.15至0.15 W、工作电压为2.1 V、阈值电流为400 mA、输出功率(CW)为0.15至0.15W的激光二极管。

  • LCW/SCW系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser (Fiber CW), Pulsed Laser (Fiber, TO56) 工作电压: 3 V 工作电流: 1000 mA 阈值电流: 30 to 45 mA 激光颜色: Infrared

    OSI的LCW/SCW系列是工作波长为1310、1490、1550、1625和1650 nm的激光二极管。它们可提供高达75 MW的CW功率和高达200 MW的脉冲功率。这些高功率激光模块提供单模和多模光纤选项。激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。它们适用于OTDR仪器、光谱学、光子计数、光学和Los传感器以及通话设备等应用。

  • LHCVN5S63-10 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 100 V 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LHCVN5S63-10是波长为905 nm、输出功率为200 W、工作电压为100 V、输出功率(CW)为200 W、工作温度为0至70摄氏度的激光二极管。LHCVN5S63-10的更多细节可以在下面看到。

  • LHCVN5S63-30 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 350 W 工作电压: 100 V 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LHCVN5S63-30是波长为905 nm、输出功率为350 W、工作电压为100 V、输出功率(CW)为350 W、工作温度为0至70摄氏度的激光二极管。LHCVN5S63-30的更多细节可以在下面看到。

  • LHCVN63-10 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 40 V 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LHCVN63-10是波长为905 nm、输出功率为20 W、工作电压为40 V、输出功率(CW)为20 W、工作温度为0至70摄氏度的激光二极管。

  • LP8M03-27-50R 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 0.3 to 0.3 W 阈值电流: 100 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LP8M03-27-50R是波长为850nm、输出功率为0.3至0.3W、阈值电流为100mA、输出功率(CW)为0.3至0.3W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • LP8M03-27-62R 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 0.3 to 0.3 W 阈值电流: 100 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LP8M03-27-62R是波长为850nm、输出功率为0.3至0.3W、阈值电流为100mA、输出功率(CW)为0.3至0.3W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • LP8M05-23-50R 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 0.5 to 0.5 W 阈值电流: 250 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LP8M05-23-50R是波长为850nm、输出功率为0.5至0.5W、阈值电流为250mA、输出功率(CW)为0.5至0.5W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • LP8M05-23-62R 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 0.5 to 0.5 W 阈值电流: 250 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LP8M05-23-62R是波长为850nm、输出功率为0.5至0.5W、阈值电流为250mA、输出功率(CW)为0.5至0.5W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • LP8M10-23-50R 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 1 to 1 W 阈值电流: 250 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LP8M10-23-50R是波长为850 nm、输出功率为1至1 W、阈值电流为250 mA、输出功率(CW)为1至1 W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。关于LP8M10-23-50R的更多细节可参见下文。

  • LP8M10-23-6 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 1 to 1 W 阈值电流: 250 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LP8M10-23-6是波长为850 nm、输出功率为1至1 W、阈值电流为250 mA、输出功率(CW)为1至1 W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。关于LP8M10-23-6的更多细节可参见下文。

  • SCW 1397-CWDM * R 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 1300 nm 输出功率: 0.008 to 0.008 W 阈值电流: 8 to 11 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的SCW 1397-CWDM*R是波长为1300nm、输出功率为0.008至0.008W、阈值电流为8至11mA、输出功率(CW)为0.008至0.008W、工作温度为-40至85℃的激光二极管。

  • SCW 1532-500R 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1530 to 1570 nm 输出功率: 0.4 to 0.5 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 70 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的SCW 1532-500R是波长为1530至1570 nm、输出功率为0.4至0.5 W、工作电压为1.2至1.6 V、阈值电流为70 mA、输出功率(CW)为0.4至0.5 W的激光二极管。

  • SCW 1632-350R 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1625 nm 输出功率: 0.275 to 0.35 W 工作电压: 1.3 to 1.6 V 阈值电流: 70 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的SCW 1632-350R是波长为1625nm、输出功率为0.275至0.35W、工作电压为1.3至1.6V、阈值电流为70mA、输出功率(CW)为0.275至0.35W的激光二极管。

  • SCW 1731F-D40R 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1646 to 1654 nm 输出功率: 0.04 to 0.04 W 工作电压: 1.5 V

    OSI Laser Diode的SCW 1731F-D40R是采用14引脚DIL封装的1650 nm脉冲DFB激光二极管模块。激光二极管光学耦合到SMF光纤尾纤,并包括热电冷却器和电隔离的温度传感热敏电阻。激光二极管模块专为需要高峰值脉冲光功率的光学测试设备应用而设计。该器件符合RoHS规范。