• 激光二极管FIDL-1000M-910X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.910um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-910X是910nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M 910X光源是一款CW多模式注入半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳和TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-915X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.915um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-915X是915nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-915X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-950X是950nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-950X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-980X是980nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-980X光源是CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-1064X是CW多模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148 9mm封装,集成监视器光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-650D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.650um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-650D是用MOCVD半导体激光器制作的650nm AlGaInP量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-650D光源是CW多模注入半导体激光二极管,提供带集成PD的9毫米外壳。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-660D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-100M-660D是连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-670D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-670D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的670nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-100M-670D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-675D-50N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-675D-50N是一种基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-675D-50N是CW多模注入半导体激光二极管。它的供应规格为9毫米带内置监控二极管的外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-685D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.685um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm激光二极管,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-100M-685D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-830X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-830X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-945X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.945um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100S-1060X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-1064X是InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100S-1064X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-830X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-830X是由MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-100S-830X是一种连续单模注入半导体激光器,内置监测光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-840X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.840um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-100S-840X是连续单模注入。半导体激光二极管与内置监测光电二极管,以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-850D-60 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-850D-60是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-100S-850D-60是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。它工作在-60ºC+60°C的宽温度范围内。激光二极管适用于军事、空间、恶劣工业应用中的各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于军事、空间、苛刻工业应用中的各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-860X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.860um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100S-860X是一种CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。