光电【参数，厂家，图片，选型】-光电查

德国

分类：发光二极管

厂商：ANDANTA GmbH

光谱范围: 0.9 - 1.7 / 0.6 - 1.7 孔径: Ø 950 / Ø 1850 / Ø 3000 封装类型: TO-46 / 3P / TO-39 / 3P 暗电流: 2 - 5 / 2 - 5 / 10 - 20 / 10 - 20 / 15 - 30 nA 并联电阻: 25 - 100 / 20 - 80 / 10 - 40 / 5 - 20 / 5 - 20 MΩ

1.7 µm波长截止InGaAs PIN光电二极管是一种高可靠性的平面器件，适用于SWIR或VIS-SWIR操作，具有低漏电流、高响应度和低杂散吸收等特点。

InGaAs PIN光电二极管

德国

分类：激光二极管

厂商：ANDANTA GmbH

光谱范围: 0.9-1.7µm 检测孔径: Ø 455, 950, 1850, 3000, 5000µm 反向电压: -40V +125V 反向电流: --- 正向电流: 20mA

InGaAs PIN光电二极管，适用于0.9 µm - 1.7 µm波长范围，广泛应用于功率监测、光谱分析等领域。

0.6µm - 1.7 µm VIS-InGaAs PIN光电二极管

德国

分类：图像传感器

厂商：ANDANTA GmbH

检测孔径: Ø 455 µm / Ø 950 µm / Ø 1850 µm 工作温度: 23°C

VIS-InGaAs PIN Photodiode，适用于0.6 µm至1.7 µm的光谱范围，提供高可靠性和高响应性。

QLF083A-50B0/QLF083D-50B0

英国

分类：半导体激光器

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率: 220 mW 激光二极管反向电压: 2 V 光电二极管反向电压: 20 V 操作温度: -10 to 60 °C 储存温度: -40 to 85 °C

QLF083A-50B0/QLF083D-50B0是850 nm量子阱激光器，专为高输出功率应用设计，激光二极管安装在TO-56封装中，包含监测光电二极管，并用平面玻璃盖密封。

QLF063A / QLF063D

英国

分类：半导体激光器

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率: 100 mW 脉冲光输出功率: 300 mW 激光二极管反向电压: 2 V 光电二极管反向电压: 30 V 操作温度: -10 to 60 °C

QLF063A/QLF063D是660 nm量子阱激光器，设计用于高输出功率应用。激光二极管安装在TO-56封装中，包括监测光电二极管，并用平玻璃盖密封。

QLF063A-85A0 / QLF063D-85A0

英国

分类：半导体激光器

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率: 105mW 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管反向电压: 30V 操作温度: -10 to 70°C 储存温度: -40 to 85°C

QLF063A-85A0/QLF063D-85A0是685 nm量子阱激光器，专为高输出功率应用设计。激光二极管封装在TO-56外壳中，包含监测光电二极管，并用平面玻璃盖密封。

QLD1061-9230 激光器

英国

分类：发光二极管

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率: 50 mW LD正向电流: 250 mA 激光二极管反向电压: 2 V TEC驱动电流: 2 A TEC驱动电压: 4.3 V

QLD1061-9230是一款用于科学和工业应用的1092-nm分布反馈(DFB)激光器，采用14针蝴蝶封装，内置光学隔离器、监测光电二极管和热电冷却器。

QLD1a61-xxyyCzWtt 激光器

英国

分类：发光二极管

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率: 10mW版本30mW，30mW版本50mW LD正向电流: 10mW版本150mA，30mW版本250mA 激光二极管反向电压: 2V TEC驱动电流: 2A TEC驱动电压: 4.3V

QLD1a61-xxyyCzWtt系列是一种用于种子和传感应用的1μm波长范围分布反馈（DFB）激光器。该激光器组装在一个带光学隔离器、监控光电二极管和热电冷却器的14针蝴蝶封装中。

QLD106D-6450Cz 激光器

英国

分类：发光二极管

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率: 70 mW LD正向电流: 300 mA 激光二极管反向电压: 2 V TEC驱动电流: 2 A TEC驱动电压: 4.3 V

QLD106D-6450Cz系列是一款用于种子和传感应用的1064 nm波长分布反馈（DFB）激光器，采用14引脚蝴蝶封装，配有光隔离器、监测光电二极管和热电冷却器。

QLD106L-64A0P 激光器

英国

分类：发光二极管

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率（连续波）: 50mW 激光二极管正向电流（连续波）: 250mA 峰值输出功率（脉冲10 ns / 1 MHz）: 150mW LD峰值电流（脉冲10 ns / 1 MHz）: 600mA 激光二极管反向电压: 2V

QLD106L-64A0P是一款用于光纤激光器和传感应用的1064 nm分布反馈（DFB）激光器，封装在带有监测光电二极管和热电冷却器的14针蝴蝶封装中。

QLD106L-6410C 激光器

英国

分类：半导体激光器

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率: 30 mW LD正向电流: 150 mA 激光二极管反向电压: 2 V TEC驱动电流: 2 A TEC驱动电压: 4.3 V

QLD106L-6410C系列是一款用于光纤激光器和传感应用的1064 nm分布反馈（DFB）激光器，采用14针蝴蝶封装，配备监测光电二极管和热电冷却器。

QLD106L-6430C 激光器

英国

分类：半导体激光器

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率: 50 mW LD正向电流: 250 mA 激光二极管反向电压: 2 V TEC驱动电流: 2 A TEC驱动电压: 4.3 V

QLD106L-6430C系列是用于光纤激光器和传感应用的1064 nm分布反馈（DFB）激光器，采用14针蝶形封装，配有监控光电二极管（PD）和热电冷却器（TEC）。

QLD106L-6430G 激光器

英国

分类：发光二极管

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率（增益开关操作）: 150mW 光输出功率（连续波）: 50mW 激光二极管正向电流（连续波）: 250mA 激光二极管反向电压: 2V TEC驱动电流: 2A

QLD106L-6430G是一个用于光纤激光器和传感应用的1064 nm分布反馈（DFB）激光器，采用14针蝴蝶封装，配备监测光电二极管和热电冷却器。

QLD1261-4005 激光器

英国

分类：发光二极管

厂商：AP Technologies Ltd

光输出功率: 20 mW LD正向电流: 150 mA 激光二极管反向电压: 2 V TEC驱动电流: 2 A TEC驱动电压: 4.3 V

QLD1261-4005是一款1240-nm的分布反馈（DFB）激光器，组装在带有光学隔离器、监控光电二极管和热电冷却器的14针蝴蝶封装中。

30微米InGaAs APD同轴光电二极管模块

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1260 - 1650 nm

OSI Laser Diode Inc LAPD 3030-SMR是一款30um InGaAs APD，采用3引脚同轴封装

DPGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

DPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。