FIDL-30M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-30M-850X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-1060X是1060nm AlInGaAs/AlGaAs多量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-1060X光源是连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-850X是850nm±10nm AlGaAs/GaAs单用MOCVD半导体激光器制作量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-850X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nm±10nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-870X光源是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-910X是用MOCVD半导体激光器制作的910nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-910X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-910X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-910X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50M-1060X是一款CW多模注入式半导体激光二极管。它以9毫米到CAN和TO-3窗口封装交付，集成了TEC、热敏电阻和监控光电二极管，用于光功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-1040X是InGaAs/GaAs多量子阱MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-1040X是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-1060D是1060nm InGaAs/GaAs单量子用MOCVD方法制备了半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-1060D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用5.6mm和9mm TO CAN和TO-3窗口封装，集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管，用于光功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S 1070D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9毫米TOCAN和TO-3窗口封装，集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管，用于光学功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs多量子阱通过MOCVD半导体激光二极管。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-1064X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-795X是795nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-795X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-800X是800nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-800X是一款CW单模注入半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-808X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-830X是830nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-830X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的830-850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-840X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6毫米封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-5S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25ºC下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-850X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入式半导体激光二极管内置监控光电二极管的CAN可稳定输出功率。其设计可在宽温度范围（-60ºC+70ºC）内工作，这使其成为军事、空间和恶劣工业应用的较佳激光源。该激光二极管适用于各种光电系统。

FJLD-100S-660-TO56-60TX是为高输出功率应用而设计的660 nm 100mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FJLD-100S-785-TO56-70TX是一款785nm 100mW量子阱半导体激光器，专为高输出功率应用而设计。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。