MNX系列是我们较紧凑的微芯片激光器，覆盖光谱的中红外到可见光部分。他们将泵浦二极管、微腔甚至二次谐波产生晶体集成在一个不到7厘米长的封装中。1064nm发动机产生峰值功率为数kW的亚纳秒脉冲，在532nm处实现超过50%的二次谐波产生效率。1535nm微型激光器显示出类似的性能，脉冲持续时间只有几纳秒。

MNX系列是我们较紧凑的微芯片激光器，覆盖光谱的中红外到可见光部分。他们将泵浦二极管、微腔甚至二次谐波产生晶体集成在一个不到7厘米长的封装中。1064nm发动机产生峰值功率为数kW的亚纳秒脉冲，在532nm处实现超过50%的二次谐波产生效率。1535nm微型激光器显示出类似的性能，脉冲持续时间只有几纳秒。

MNX系列是我们较紧凑的微芯片激光器，覆盖光谱的中红外到可见光部分。他们将泵浦二极管、微腔甚至二次谐波产生晶体集成在一个不到7厘米长的封装中。1064nm发动机产生峰值功率为数kW的亚纳秒脉冲，在532nm处实现超过50%的二次谐波产生效率。1535nm微型激光器显示出类似的性能，脉冲持续时间只有几纳秒。

MNX系列是我们较紧凑的微芯片激光器，覆盖光谱的中红外到可见光部分。他们将泵浦二极管、微腔甚至二次谐波产生晶体集成在一个不到7厘米长的封装中。1064 nm发动机产生具有几kW峰值功率的亚纳秒脉冲，在532 nm处实现超过50%的二次谐波产生效率。1535nm微型激光器显示出类似的性能，脉冲持续时间为几纳秒。

MNX系列是我们较紧凑的微芯片激光器，覆盖光谱的中红外到可见光部分。他们将泵浦二极管、微腔甚至二次谐波产生晶体集成在一个不到7厘米长的封装中。1064nm发动机产生峰值功率为数kW的亚纳秒脉冲，在532nm处实现超过50%的二次谐波产生效率。1535nm微型激光器显示出类似的性能，脉冲持续时间只有几纳秒。

MNX系列是我们较紧凑的微芯片激光器，覆盖光谱的中红外到可见光部分。他们将泵浦二极管、微腔甚至二次谐波产生晶体集成在一个不到7厘米长的封装中。1064nm发动机产生峰值功率为数kW的亚纳秒脉冲，在532nm处实现超过50%的二次谐波产生效率。1535nm微型激光器显示出类似的性能，脉冲持续时间只有几纳秒。

NeoSpectra-Micro是一种集成式光谱传感器，可用于各种材料传感应用，以进行鉴定和量化。该传感器的性能可与实验室光谱仪相媲美，但尺寸更小，成本更低。传感器基于傅里叶变换红外（FT-IR）技术，该技术是实验室光谱仪中使用的标准技术，可为材料的较佳鉴定和量化提供宽光谱范围。该传感器使用了专利的微机电系统（MEMS）技术，该技术允许在MEMS芯片上单片制造迈克尔逊干涉仪。NeoSpectra-Micro传感器可确定1，350–2，500 nm近红外（NIR）范围内输入光的光谱含量。

日亚NUBM44 450nm 6W 9mm全新NUBM44是一款发射6W功率的445nm激光二极管。它是目前所有9mm TO-CAN（TO-5封装）激光二极管的较高功率。尽管NUBM44的典型中心波长为445nm，但在某些文献中，它有时被称为450nm激光二极管。尽管这是一个多模激光二极管，但它具有极窄的波导，这使得它几乎具有任何高功率半导体激光器的较低光学扩展量（给定光束直径的远场发散度）。与其他高功率激光二极管相比，窄发射极宽度使其能够更好地准直和聚焦。-6.0W蓝色激光二极管，波长445nm-高度可聚焦且能够很好地准直-紧凑型TO-5（9mm）TO-CAN封装-0C至65C的宽工作温度范围-氮化镓蓝色激光技术可延长高温下的使用寿命设计波长：445 nm工作电流典型值[A]：3 A工作温度范围：0至+60°C工作电压：3.7-5.2 V封装：TO-5阈值电流：150-350 mA存储温度范围：-40至85°C20°C时的光功率[W]：6 W估计寿命：10000小时与其它高功率半导体激光器相比，这种蓝色激光二极管相对不受工作温度的影响，并且具有0℃至65℃的外壳工作温度范围。NUBM44在25℃下的典型寿命为20，000小时。然而，如果蓝色激光器的外壳温度被加热到65℃，则寿命仅降低很小的系数。由于较近开发的氮化镓激光技术，这是先进可能的。目前用于红光和近红外激光二极管的砷化镓激光技术不能在高温下实现低的长期退化水平。因此，这种蓝色激光二极管是各种环境和应用的可靠选择。此外，该GaN激光器具有特殊的TO-5（9mm）封装，这使其具有比该功率水平下的激光二极管通常可能的热阻更低的热阻。9毫米的TO-CAN也是密封的，可以保护半导体激光器芯片免受灰尘和其他污染。相比之下，高功率红光和NIR激光二极管通常需要C-Mount封装，其具有暴露的刻面，如果不在洁净室环境中操作，则会出现可靠性问题。

OmniVision的OV08A10是一款超紧凑的800万像素图像传感器，基于OmniVision的第二代1.0微米PureCel®Plus-S堆叠芯片像素技术。OV08A10专为双摄像头或三摄像头应用而设计，Z高度小于6.8毫米，可满足下一代智能手机的紧凑空间要求。

OmniVision的OV12895是一款高速PureCel®Plus-S图像传感器，可为消费级无人机、监控系统和360度运动相机提供4K2K视频和1200万像素图像。OV12895采用1.55微米像素，使用10位或可选的12位读出架构拍摄令人惊叹的静态图像，该架构可提供高位深度快照。OV12895基于OmniVision的PureCel Plus-S堆叠芯片架构，具有背面照明功能，可在所有光线水平下提供超高分辨率和清晰、生动的图像。与非堆叠式传感器相比，堆叠式管芯结构允许额外的传感器功能，同时实现更小的管芯尺寸。

OmniVision的高性能OV16880是一款1/3.06英寸1600万像素图像传感器，采用OmniVision的PureCel®Plus-S堆叠芯片技术。该传感器采用先进的1微米像素，为超薄智能手机和平板电脑带来超高分辨率图像和视频捕捉，以及相位检测自动对焦（PDAF）等先进功能。OmniVision的PureCel®Plus-S传感器采用埋入式彩色滤光片阵列（BCFA）和深沟槽隔离（DTI）技术，可显著降低像素串扰并提高信噪比，从而产生卓越的图像和视频。此外，该技术通过允许更大的主光线角度（CRA）透镜而不降低图像质量，实现了更薄的模块设计。

OV16E10是OmniVision较新一代的高性能1600万像素（MP）图像传感器系列。1/2.8英寸OV16E10传感器基于其较新的1.12微米PureCel®Plus堆叠式芯片技术，具有世界一流的灵敏度和QE性能，具有先进的成像功能，可为单摄像头和多摄像头应用提供业界领先的性能。继上一代OV16B10在高端移动市场取得成功之后，这款新的图像传感器为主流智能手机市场带来了同样出色的图像质量和功能的高分辨率。

OV24A传感器是OmniVision的首款0.9微米像素传感器。这些传感器基于PureCel®Plus堆叠式芯片架构，量子效率性能可与较新的1.0微米像素传感器相媲美。更小的像素、更高的分辨率和改进的性能相结合，使OV24A传感器成为高端智能手机前置和后置摄像头应用的理想解决方案。OV24A传感器系列由三个单独的产品组成：OV24A1Q、OV24A1B和Ov24A10。OV24A1Q具有独特的四单元滤色片模式，是前置摄像头应用的理想选择。该传感器具有片内像素合并功能，可捕获比标准0.9微米像素多四倍的光子，从而在低光照条件下实现更好的图像质量。

OV24A传感器是OmniVision的首款0.9微米像素传感器。这些传感器基于PureCel®Plus堆叠式芯片架构，量子效率性能可与较新的1.0微米像素传感器相媲美。更小的像素、更高的分辨率和改进的性能相结合，使OV24A传感器成为高端智能手机前置和后置摄像头应用的理想解决方案。OV24A传感器系列由三个独立的产品组成：OV24A1Q、OV24A1B和Ov24A10。Ov24A1Q具有独特的四单元滤色片模式，是前置摄像头应用的理想选择。该传感器具有片内像素合并功能，可捕获比标准0.9微米像素多四倍的光子，从而在低光照条件下实现更好的图像质量。

OV24A传感器是OmniVision的首款0.9微米像素传感器。这些传感器基于PureCel®Plus堆叠式芯片架构，量子效率性能可与较新的1.0微米像素传感器相媲美。更小的像素、更高的分辨率和改进的性能相结合，使OV24A传感器成为高端智能手机前置和后置摄像头应用的理想解决方案。OV24A传感器系列由三个单独的产品组成：OV24A1Q、OV24A1B和Ov24A10。OV24A1Q具有独特的四单元滤色片模式，是前置摄像头应用的理想选择。该传感器具有片内像素合并功能，可捕获比标准0.9微米像素多四倍的光子，从而在低光照条件下实现更好的图像质量。

OmniVision的OV24B系列是其第二代0.9微米、1/2.83英寸光学格式2400万像素（MP）图像传感器，基于PureCel®Plus堆叠式芯片技术。该系列专为高分辨率前置和后置智能手机摄像头而设计，采用高端技术和设计改进，可实现差异化功能和出色的成像性能。

光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。此外，光电二极管芯片覆盖有玻璃盖，该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 36-05被设计用于检测从1800到3600nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。此外，光电二极管芯片覆盖有玻璃盖，该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 43-03设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。此外，光电二极管芯片覆盖有玻璃盖，该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 43-05设计用于检测2600至4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。此外，光电二极管芯片覆盖有玻璃盖，该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。