• HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • 季风系列 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 激光颜色: Infrared 堆栈/阵列: Array/Stack 类型: Free Space Laser Diode RoHS: Yes

    II-VI Incorporated的Monsoon系列是模块化激光二极管棒,工作波长为795至1060 nm.它们提供可堆叠的40/50 W棒材、80/100 W棒材和200 W棒材,以提供与应用相匹配的模块化灵活性。这些模块化棒可以使用紧凑的框架垂直堆叠,该框架可提供高达6 kW的功率、高达1600 W的功率(使用无框架)或高达300 W的功率(使用水平阵列)。它们的光谱宽度(FWHM)为2.5或5 nm,功率效率高达60%。Monsoon系列激光二极管条基于专有的E2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下,也能防止激光二极管面的灾难性光学损伤(COD)。它们采用硬焊技术,可为要求苛刻的应用提供卓越的可靠性,并在CW或QCW工作条件下实现高功率输出,而不会牺牲使用寿命。这些激光二极管棒还具有主动季风微通道冷却器,以提供用于垂直和水平堆叠的可扩展平台。它们采用尺寸为38.9 X 10.9 mm X 10 mm的模块,非常适合固态激光泵浦、直接应用,如材料加工(塑料焊接、热处理、退火、硬化等)、印刷和复印、医疗、生命和健康科学、国防和安全以及照明应用。

  • RLD63PZCA 半导体激光器
    日本
    波长: 638 nm 输出功率: 7 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 33 mA 阈值电流: 28 mA

    来自Rohm Semiconductor的RLD63PZCA是红色单模激光二极管,其工作波长为638 nm,输出效率为0.8 W/A.它提供7 MW的峰值光输出功率,并具有8度的平行光束发散角和32度的垂直光束发散角。该激光二极管消耗2.2V的电压和33mA的电流。它可与行业标准&PHI5.6金属杆。这款激光二极管是传感器、条形码扫描仪、水准测量和测距应用的理想选择。

  • RLD90QZW3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 工作电压: 16 to 22 V 工作电流: 30 A 阈值电流: 900 mA

    Rohm Semiconductor的RLD90QZW3是一种不可见的脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它提供了75W的峰值脉冲输出功率,脉冲宽度为50ns.该激光二极管的光束发散度为10度(平行)和25度(垂直),发射点精度为±150μm.其孔径尺寸为225×10μm.这款激光二极管需要16 V直流电源,阈值电流为0.9 A.它采用Ø5.6 mm TO-CAN封装,非常适合TOF传感器、测距仪、自动导引车(AGV)和安保应用。

  • RLD90QZW8 半导体激光器
    日本
    波长: 905 nm 输出功率: 120 W 工作电压: 16 V 阈值电流: 1 A 类型: Free Space Laser Diode

    Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案,并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm,光束发散度为10度(平行)和25度(垂直)。阈值电流为1 A,正向电压为16 V,正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装,非常适合车载激光雷达、自动导引车(AGV)、TOF传感器和安防应用。

  • 850D1S09X 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Commercial, Military 芯片技术: AlGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 13 W

    Laser Components的850D1S09X是一款AlGaAs脉冲激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为13W,效率为0.9W/A.该激光二极管的光谱带宽为5.5nm,光束扩展为10.5度(平行)和20度(垂直)。它的发射面积为225 X 1μm,脉冲宽度为150 ns.这款激光二极管的正向电压为3 V,最大正向电流为18 A.它采用密封和定制设计封装,非常适合测距、测量设备、武器模拟、激光雷达、安全屏障和光学触发应用。

  • ADL-85Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 310 to 360 mA

    Laser Components的ADL-85Y51TL是一款850 nm AlGaAs红外激光二极管,可提供高达270 MW的输出功率。该器件采用1.9 V电源供电,功耗高达360 mA.该连续发光激光二极管的平行发散角为6~13度,垂直发散角为12~22度,微分效率为1mW/mA.它采用TO-CAN封装,非常适合传感设备、激光雷达和3D传感应用。

  • VD-0808I-004W-1C-2A0 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 4 W

    Laser Components的VD-0808I-004W-1C-2A0是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管,工作波长为808 nm.该激光二极管的峰值输出功率高达4 W,效率高达39%。它的正向电压为2.2V,正向电流为4.5A.激光二极管的光束角为25°,发射面积为846×811μm.它采用氧化物隔离技术设计,采用3535封装。该激光二极管是3D传感器、激光雷达、红外照明、接近传感器和医疗应用的理想选择。

  • QLF083A 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Quantum Well 波长: 830 nm 输出功率: 220 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 225 mA

    QD Laser公司的QLF083A是一种法布里-珀罗(Fabry-Perot)量子阱激光二极管,工作波长为830 nm,斜率效率为1.1 W/A,峰值输出功率为220 MW.该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为18°。它需要大约2.3V的工作电压,并且具有38mA的阈值电流。激光二极管安装在包括监视器PD的TO-56接头中,并用平板玻璃帽密封。用于工业激光打标机、测量仪器、生命科学应用等。

  • PulseLife G-stack 半导体激光器
    美国
    厂商:相干公司
    巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Quasi-CW Laser 波长: 808 nm 工作电流: 220000 mA 阈值电流: 30 mA

    来自Coherent的PulseLife G-Stack是工作在808nm的激光堆栈。这些垂直传导冷却激光器采用Coherent专有的PulseLife硬焊技术,可提供超过200W/bar的准CW输出功率,占空比为4%,脉冲宽度为500微秒。它们具有很高的工作温度,可靠性超过109次。激光堆栈采用标准封装,单个堆栈中有2至16个二极管激光棒。这些激光器堆具有400微米的条到条间距,并且需要30A的阈值电流。

  • L1064H1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 1054 to 1074 nm 输出功率: 300 mW 工作电流: 700 to 750 A

    Thorlabs的L1064H1是一款Fabry Perot激光二极管,工作波长为1054至1074 nm.这种单空间模式激光二极管的光输出功率高达310mW,斜率效率为0.46W/A,垂直发散角(FWHM)为13.5°,横向发散角(FWHM)为7.6°。激光器的正向电压为1.92 V,阈值电流高达100 mA.它基于量子阱外延层生长技术,具有脊形波导结构。激光二极管采用Ø9 mm TO-CAN封装。

  • QF3850T1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Cascade 工作模式: CW Laser 波长: 3.85 µm 输出功率: 200 mW 工作电流: 13.5 to 0.6 A

    Thorlabs的QF3850T1是一款法布里-珀罗量子级联激光二极管,工作范围为3.75至3.95µm.该单空间模式激光器提供200mW的光输出功率。它具有30度的平行光束发散角(FWHM)和40度的垂直光束发散角(FWHM)。该激光二极管的正向电压为13.5V,阈值电流高达250mA.它具有发散的输出光束,并且在室温下以连续波(CW)模式工作。该半导体激光二极管的发射表面由ZnSe窗口保护,并且该二极管在TO-9封装中可用。

  • QF4600T2 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 4450 to 4750 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 13 to 14 V

    Thorlabs Inc的QF4600T2是4.45至4.75µm的法布里-珀罗量子级联激光器(QCL)二极管。这种单空间模式激光器的最大输出功率高达500 MW.它具有30度的平行光束发散角和40度的垂直光束发散角。该激光二极管采用TO-9封装,可在15至50°C的温度范围内工作。

  • CWV-HPTO-Px-Wy 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 1060 nm 输出功率: 2.5 to 5 W 工作电压: 1.8 V

    FLIR Systems的CWV-HPTO-PX-WY是一种工作波长为1060nm的激光二极管。它提供高达5瓦的输出功率,同时工作电流为8 A.激光二极管采用易于安装的垂直引脚封装,非常适合照明应用。

  • cmc-785-1000-1xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 785 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V

    Sheaumann Laser的CMC-785-1000-1是一种激光二极管,工作波长为785nm.它提供了1W的连续波输出功率,并具有1W/A的斜率效率。这种多模激光二极管在FWHM处具有25°(垂直远场)和8°(水平远场)的光束发散角。它需要400 mA的阈值电流,并消耗1.3 A的电流。该激光二极管具有100μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-0500-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 0.54 to 0.6 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-0500-0是一种工作波长为808 nm的激光二极管。该激光器连续输出功率为0.5W,斜率效率为1W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要80 mA的阈值电流,并消耗0.54 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-1000-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 1.1 to 1.3 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-1000-0是一款工作波长为808 nm的激光二极管。它的连续输出功率为1W,斜率效率为1W/A.这种多模激光二极管在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要160 mA的阈值电流,并消耗1.1 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、打标、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-1500-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 1.5 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 1.6 to 1.8 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-1500-0是一款工作波长为808 nm的激光二极管。该激光器连续输出功率为1.5W,斜率效率为1W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要170 mA的阈值电流,并消耗1.6 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-3000-2xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 3 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 3.5 to 4.1 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-3000-2是一种工作波长为808 nm的连续波激光二极管。该多模激光二极管的光输出功率高达3 W,斜率效率为1 W/A,垂直光束发散角(FWHM)为30度,横向光束发散角(FWHM)为8度。该激光二极管需要0.8 A的阈值电流和3.5 A的工作电流。它具有超低或高AR涂层的可选微透镜。CMC-808-3000-2采用铜基板,是国防、激光泵浦、激光治疗、标记、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-6000-2xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 6 W 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 6.2 to 7.1 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-6000-2是一种工作波长为808 nm的激光二极管。它提供了6W的连续波输出功率和1W/A的斜率效率。这种多模激光二极管在FWHM处具有30°(垂直远场)和8°(水平远场)的光束发散角。它需要0.9 A的阈值电流,并消耗6.2 A的电流。该激光二极管具有200μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。