FASTX-APU FrameGrabber系列适用于预期在经济高效的平台中需要极端I/O要求和/或更高带宽、复杂图像处理和实时高速存储的用户。基本型FastX-APU是一个三分之二长度的原始外形尺寸PCIe（x4）Gen2板，具有六个基本的85 MHz Camera Link通道，较多两个扩展的全Camera Link相机接口。辅助I/O连接器提供用于适配其他高速接口（如Gigex4）、高速模拟格式（如UXGA或DVI）或CoaXpress的接头。前端数据由Kintex FPGA进行格式化和预处理，然后发送到PCIe（x4）Gen 2交换机，再发送到主机或AMD APU。

FASTX3图像采集卡系列适用于预期在经济高效的平台中需要极端I/O要求和/或更高带宽、复杂图像处理和实时高速存储的用户。基本款FastX3是一款半长的原始外形尺寸PCIe（x4）Gen2板，具有六个基本的85 MHz Camera Link通道，较多可扩展为两个完整的Camera Link摄像头接口。在发送到PCIe（x4）Gen 2接口之前，Artix FPGA对前端数据进行格式化和预处理。它也是POCL，具有包括三个LVDS I/O的隔离输入。

FastXE2 FrameGrabber系列适用于预期在经济高效的平台中需要极端I/O要求和/或更高带宽、复杂图像处理和实时高速存储的用户。基本款FastXE是一款半长的原始外形尺寸PCIe（x4）Gen2板，具有六个基本的85 MHz Camera Link通道，较多可扩展两个完整的Camera Link摄像头接口。辅助I/O连接器提供用于适配其他高速接口（如Gigex4）、高速模拟格式（如UXGA或DVI）或CoaXpress的接头。在发送到PCIe（x4）Gen 2总线之前，Kintex 7 FPGA对前端数据进行格式化和预处理。

光纤衰减器是一种无源器件，用于在不显著改变波形本身的情况下降低光信号的振幅。这通常是密集波分复用（DWDM）和掺铒光纤放大器（EDFA）应用中的要求，其中接收器不能接受从高功率光源产生的信号。先科衰减器采用了一种专有类型的金属离子掺杂光纤，可在光信号通过时减少光信号。这种衰减方法允许比光纤拼接或光纤偏移更高的性能，光纤拼接或光纤偏移通过误导而不是吸收光信号来起作用。Senko衰减器能够在1310、C和L波段工作。Senko衰减器能够长时间承受超过1W的高功率光照射，使其非常适合EDFA和其他高功率应用。低偏振相关损耗（PDL）和稳定且独立的波长分布使其成为DWDM的理想选择。

光纤衰减器是一种无源器件，用于在不显著改变波形本身的情况下降低光信号的振幅。这通常是密集波分复用（DWDM）和掺铒光纤放大器（EDFA）应用中的要求，其中接收器不能接受从高功率光源产生的信号。先科衰减器采用了一种专有类型的金属离子掺杂光纤，可在光信号通过时减少光信号。这种衰减方法允许比光纤拼接或光纤偏移更高的性能，光纤拼接或光纤偏移通过误导而不是吸收光信号来起作用。Senko衰减器能够在1310、C和L波段工作。Senko衰减器能够长时间承受超过1W的高功率光照射，使其非常适合EDFA和其他高功率应用。低偏振相关损耗（PDL）和稳定且独立的波长分布使其成为DWDM的理想选择。

新的FCB-ER8300块相机集成了1/2.3型Exmor R传感器，能够在高达30p的4K分辨率（3，840 X 2，160，QFHD）。该相机采用高品质12倍光学变焦镜头，当与超级分辨率变焦相结合时，可在高达20倍变焦时保持4K分辨率，在紧凑的外形中提供增强的4K可视性。这款相机还继承了索尼广受欢迎的FCB系列相机的一些独特功能，如自动ICR、隐私区域遮罩、降噪和可见度增强，支持在具有挑战性的照明条件下使用。这些出色的功能和优势使FCB-ER8300非常适合要求苛刻的广域监控应用，如运输、体育赛事监控、视频会议等。

推出我们FCB系列的较新版本：FCB-ER8550与FCB-ER8530一样，在方便和兼容的外形中重置了画质和性能，为各种空间和外形非常重要的应用带来了4K可能性。FBC-ER8550配备了较新的索尼CMOS传感器技术，是备受推崇的FCB-ER系列的较新版本，该系列首次推出时推出了FBC-ER8300。FCB-ER8550提供30fps的4K分辨率和集成的20倍光学变焦镜头，但包括外部同步功能。外形尺寸几乎与FCB-EV7520相同，因此提供了一种方便的解决方案来迁移到4K，而无需重新设计您的较终解决方案。FCB-ER8550的外部同步功能为部署多个摄像机的用户提供了额外的好处，例如在广播环境中或将FCB与其他附件（如红外光或热感摄像机）一起使用，这在视频监控行业中很常见。FCB-ER8550继承了索尼全球知名的FCB系列的众多功能，包括VISCA推荐协议、Auto-ICR和图像稳定。这些市场领先的功能适用于各种要求苛刻的应用。

新的FCB-ES8230代表了高质量和“同类较佳”图像的新途径，具有令人惊叹的4K清晰度，这要归功于索尼1型Exmor R CMOS传感器的组合。高品质镜头和索尼独特的ISP引擎。FCB-ES8230是我们不断扩大的4K工业相机系列的较新版本，是对较近推出的FCB-ER8550和FCB-ER8530 4K相机模块的补充，该产品主要针对广播/视频行业，具有薄景深等特殊功能，并首次采用FCB技术，结合了光学图像稳定技术，可提供丰富、高品质和稳定的图像。FCB-ES8230提供每秒30帧的4K分辨率以及集成的12倍光学变焦镜头，但在4K质量下具有高达18倍的超级分辨率变焦。还包括12倍的额外数码变焦。FCB-ES8230继承了索尼世界知名的FCB系列的众多功能，包括VISCA命令协议、自动ICR和各种曝光、白平衡和聚焦控制功能。这些市场领先的功能适用于各种要求苛刻的应用。

扭转式准直器快速连接到FC或SMA连接器光纤电缆，以产生准直光束。扭转式准直器包含一个微透镜，专为衍射限制性能而设计。镜头的两个表面都有抗反射涂层，峰值波长的透射率>98%。通过简单的手动调节NE-螺纹弹簧加载的聚焦筒，可以实现不同波长的焦点补偿。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。