GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

新的M，F&A Mark IV全光纤多普勒速度干涉仪系统在测量和记录瞬时速度与时间历程方面提供了增强的能力。两个版本的Mark IV系统现已投入使用。较初的Mark IV系统已在世界各地使用，并在目标表面具有合理反射的情况下提供了出色的结果。在较新版本的Mark IV中，我们升级到了新的超窄线宽激光器，以提高速度分辨率。这些系统还采用了较新的发展，如新的镍金属氢化物电源和充电系统。新的前面板布置包括一个“平衡”旋钮，可轻松均衡“正弦”和“余弦”信号幅度，以及一个数字电池电压监测器。新系统内置在1U机架安装机箱中，如果需要，可以在以后通过添加EDFA轻松升级到Mark IV-3000。Mark IV-3000采用基于相同超窄线宽种子激光器的全新系统架构，但该版本集成了+30 dB的EDFA将来自边缘目标表面的相对较弱的回光提升到在检测端给出高信噪比的水平。反射回光的这种提升相当于在目标上施加3000mW的激光功率。

除了客户特定的FBG解决方案外，FemtoFiberTec还提供一系列极具吸引力的标准化FS编写的FBG。凭借全球领先的自动化制造技术，FemtoFiberTec可以在质量和成本效率方面提供高客户价值。

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