FTLD-1530-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1530-20S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1535-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1535nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1535-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1550-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1550nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1550-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1550-15S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1550nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1550-15S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1600-05S是基于AlInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-05S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1600-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1620-01S-BTF是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-01S-BTF是连续单模注入半导体激光器。它采用蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1620-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1625-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1625-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1630-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1630nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1630-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1650-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

Optodyne的VS-5000系列振动传感器是一种非接触式、高灵敏度的位移、速度和加速度测量方法。作为机械振动的存储示波器，VS-5000满足微电子、航空航天、汽车和研发应用的精密工程要求。单轴（VS-5010）或双轴（VS-5020）系统的测量精度为±0.5 ppm，分辨率为±0.05微英寸，速度高达200英寸/秒，频率响应从Do到400 kHz。该双轴系统（VS-5020）具有极高的信噪比，允许用户同时测量目标和背景现象，同时保持每次测量的完整性。