索尼公司的IMX577-AACK是一款对角线7.857毫米、1230万像素的CMOS图像传感器，具有方形像素阵列。它采用Sony的堆叠式CMOS图像传感器技术，通过列并行A/D转换电路实现高速图像采集，通过背照式成像像素结构实现高灵敏度、低噪声图像（与传统CMOS图像传感器相比）。该传感器配备具有可变积分时间的电子快门。它采用三种电源电压工作：模拟2.8 V、数字1.05 V和1.8 V输入/输出接口，实现了低功耗。本产品仅适用于消费类便携式摄像机。

索尼公司的IMX661是一款127 MP CMOS固态图像传感器，像素尺寸为3.45×3.45μm.它的分辨率为13400（H）X 9528（V）像素，在全像素扫描模式（127 MP）下最大帧率为21.8 FPS.该图像传感器需要3.3 V（模拟）、1.2 V（数字）或1.8 V（接口）的电源电压，并支持11/12/14位ADC分辨率。IMX661基于索尼独创的全局快门像素技术“ Pregius ”，可捕捉无失真图像。它采用晶片上芯片（chip-on-wafer）工艺，将具有特定功能的芯片堆叠在像素晶片的顶部，从而在不增加尺寸的情况下实现ADC的最佳定位和处理功能。该传感器具有索尼的可扩展低电压信号功能，采用嵌入式时钟（SLVS-EC）高速接口标准，使输出接口速度更快。IMX661配备了一系列信号处理功能，例如用于在高速检查期间控制成像定时的触发同步、通过仅读出所需区域来减少后期信号处理负载的感兴趣区域（ROI）、在输出所需信息时减少数据量的灰度压缩、检测移动物体轨迹的多重曝光用于高速移动的物体的无模糊成像的短曝光时间，以及在低亮度情况下增强灵敏度的像素合并读出。它还具有内置时序调整电路、H/V驱动器和串行通信电路，并具有用于曝光周期的CDs/PGA和脉冲输出功能。该器件采用LGA封装，尺寸为75 X 63.6 mm，非常适合工业应用。

索尼公司的IMX667是一款对角线1/2.3型7.85mm CMOS图像传感器，具有方形像素阵列。像素芯片采用背照式设计，有效像素约为2391万像素（5663（H）X 4223（V）），可在广角范围内捕捉信息。该图像传感器在芯片上具有R、G、B原色马赛克滤波器，并支持H、V和串行通信驱动器。IMX667具有电子快门功能，专为彩色相机设计。它需要2.8 V（模拟）、1.2 V（数字）和1.8 V（I/O接口）电源电压。Pixel芯片具有10/12位ADC分辨率，支持高达4.608/2.304 Gbps的波特率。它采用148引脚LGA封装，尺寸为9.28 X 8.55 mm，非常适合用于数码相机和摄像机。

索尼半导体解决方案公司（Sony Semiconductor Solutions Corporation）的ISX016是一款CMOS图像传感器，具有百万像素1.26 MP，电源电压1.2至2.7 V，帧速率25至60 FPS，灵敏度510 MV.有关ISX016的更多详细信息，请联系我们。

索尼公司的ISX019是一款123万像素CMOS图像传感器片上系统，采用堆叠结构，由高性能图像传感器和处理引擎组成，用于汽车环视和后视摄像头。图像传感器使用背照式像素技术来实现高灵敏度和低噪声，并且逻辑芯片通过最先进的工艺在较小的芯片中以低功耗实现大规模电路。SoC采用72引脚BGA封装，尺寸为6.65 X 7.3 mm.

索尼半导体解决方案公司（Sony Semiconductor Solutions Corporation）的SLD1254JFR-V是一款激光二极管，波长为635至645 nm，输出功率为90 MW，工作电压为2.5至2.9 V，工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息，请联系我们。

Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管，工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW，工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装，非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管，工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作，发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率，同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装，是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。

索尼半导体解决方案公司（Sony Semiconductor Solutions Corporation）的SLD291VS是一款激光二极管，波长为840至860 nm，输出功率为350 MW，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为400至470 mA.有关SLD291VS的更多详细信息，请联系我们。

Sony Semiconductor Solutions Corporation的SLD301V是波长为770至840 nm、输出功率为0.1 W、工作电压为1.9至3 V、工作电流为0.25至0.4 A、阈值电流为150至200 mA的激光二极管。有关SLD301V的更多详细信息，请联系我们。

SLD302V是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为770至840 nm，输出功率为0.2 W，工作电压为1.9至3 V，工作电流为0.35至0.5 A，阈值电流为150至200 mA.有关SLD302V的更多详细信息，请联系我们。

SLD322V是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为0.5 W，工作电压为2.1至3 V，工作电流为0.75至1.2 A，阈值电流为180至300 mA.有关SLD322V的更多详细信息，请联系我们。

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD323V是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为1 W，工作电压为2.1至3 V，工作电流为1.4至2 A，阈值电流为300至500 mA.有关SLD323V的更多详细信息，请联系我们。

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD326YT是一款激光二极管，波长为790~840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2.4~2.8 V，工作电流为4~8 A，阈值电流为1000~2000 mA.有关SLD326YT的更多详细信息，请联系我们。

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD332F是一种激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为1 W，工作电压为1.8至3.0 V，工作电流为1.2至1.5 A，阈值电流为400至500 mA.有关SLD332F的更多详细信息，请联系我们。

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至3 V，工作电流为1.2至1.5 A，阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息，请联系我们。

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD334YT是一款激光二极管，波长为795至840 nm，输出功率为2 W，工作电压为2.2至3 V，工作电流为2.2至3.6 A，阈值电流为600至1000 mA.有关SLD334YT的更多详细信息，请联系我们。

SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为5 W，工作电压为2.2至3 V，工作电流为5.2至6.5 A，阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息，请联系我们。

SLD335YT是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2.1至3 V，工作电流为4.3至5.5 A，阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335YT的更多详细信息，请联系我们。

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD336VF是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为0.75 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为0.8至1 A，阈值电流为200至300 mA.有关SLD336VF的更多详细信息，请联系我们。