DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于利用内置光纤布拉格光栅的专有外腔激光器设计。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。

DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于利用内置光纤布拉格光栅的专有外腔激光器设计。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。

DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于专有的外腔激光器设计，采用内置光纤布拉格光栅，提供非常稳定的激射波长性能、窄光谱线宽和出色的SMSR。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。典型连续输出功率可达20mW，脉冲功率可达50mW。定制型号可提供更高的输出功率。

DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于专有的外腔激光器设计，采用内置光纤布拉格光栅，提供非常稳定的激射波长性能、窄光谱线宽和出色的SMSR。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。典型连续输出功率可达20mW，脉冲功率可达50mW。定制型号可提供更高的输出功率。

DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于专有的外腔激光器设计，采用内置光纤布拉格光栅，提供非常稳定的激射波长性能、窄光谱线宽和出色的SMSR。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。典型连续输出功率可达20mW，脉冲功率可达50mW。定制型号可提供更高的输出功率。

MICS产品线提供较完整的DWDM多路复用器/多路分用器（6，25GHz至400GHz间隔）。TMICS是一种间隔和频率DWDM多路复用器/多路分用器。由于其灵活的大块光栅技术，KYLIA提供较完整的DWDM多路复用器/多路分用器产品系列。

我们的紫外光谱仪在真空紫外光谱区提供了像差校正的波长覆盖。基于垂直入射几何结构，它提供光谱仪和单色仪功能。高效率光栅可以通过高精度定位系统绕其顶点旋转，从而使出射狭缝处的波长选择精度达到0.1nm。入口和出口狭缝宽度可通过千分尺螺钉或电动致动器（可选）设置在0.01至4mm的范围内。

EOS系列高光谱成像仪采用了Photon ETC公司基于体布拉格光栅（VBG）的专利滤波技术。这项技术是高光谱成像的理想选择。微视场和宽视场平台都是为发光（光致发光或电致发光）和反射测量而设计的，并且可以适应宽带或单色光源。我们的过滤技术允许快速获取光谱分辨的高分辨率图像。基于色散光谱仪的推扫式（线扫描）系统一次采集一条线，而基于VBG的设备允许全局成像。这意味着使用基于VBG的技术，可以一次获取完整的单色图像，而不是逐行（或逐点）获取。由于相机捕获视场中的整个区域，因此可以实时收集光谱和空间信息，并可以记录光谱分辨的视频。V-EOS™在可见光谱上提供一系列单色图像，避免了繁琐的X-Y或线扫描。该系统通过提供光谱特征的大规模分布来进行前所未有的分析，无论是半导体的带隙变化还是新化合物中的分子变化。我们的S-EOS™宽场高光谱成像仪集成了我们的新型Zephir相机，现在覆盖了高达2.5μm的短波红外光谱区域。该系统通过提供光谱特征的大规模分布，无论是半导体的带隙变化还是新化合物中的分子变化，都可以进行前所未有的分析。Grand-EOS高光谱成像仪将高光谱显微镜系统与高光谱广域成像平台相结合，提供了VNIR（400-100 nm）和SWIR（900-2500 nm）光谱范围的微观和宏观模态。

在光纤到户中，对传输通信光的光纤进行监测时，采用1625nm或1650nm的波长进行维护测试，在光线路终端和光网络终端前端安装允许通信光通过但截断测试光的滤光片。非常靠近ONT的终端电缆具有带滤光器的SC型连接器。有必要提供一种能够容易地嵌入连接器中的滤波器，以实现更经济的端接电缆。光纤布拉格光栅（FBG）滤波器适合于这种应用。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。