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IND02C200D102 半导体激光器

IND02C200D102

分类： 半导体激光器

厂家： II-VI Laser Enterprise GmbH

产地： 美国

型号： IND02C200D102

更新时间： 2024-06-25 16:20:01

简介：

1300nm 28 Gb/s NRZ DFB Laser Diode Chip

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概述

来自II-VI Incorporated的IND02C200D102是波长为1311nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02C200D102的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 1311 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 17 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 阈值电流 / Treshold Current : 11-17mA@85°C, 5mA@25°C
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.1-0.2W/A@85°C
  • 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : SE0C/SE85C=4
  • 饱和电流 / Saturation Current : 80-100mA@85°C
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6V@Po=5mW
  • 差分电阻 / Differential Resistance : 7-10Ohm@Po=5mW, 85°C
  • 电容 / Capacitance : 1.2pF
  • 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : Pf/Pb=7-60
  • 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : ≥35dB@Po=5mW
  • 波长 / Wavelength : CWDM 1270nm-1370nm, LWDM 1269.23nm-1318.35nm, Grey 1270/1310/1330nm
  • 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.09nm/°C
  • 热阻 / Thermal Impedance : 140K/W
  • 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : 30degree
  • 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : 35degree
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -132dB/Hz1/2@Po=5mW
  • 带宽 / Bandwidth : 18-21GHz@I=60mA, 85°C
  • 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : 15.5-17.5GHz@I=60mA, 85°C

应用

1.光纤通信链路；2.千兆以太网和存储区域网络；3.5G无线前传数据链路。

特征

1.设计用于无冷却28 Gb/s NRZ；2.RoHS兼容；3.工作温度范围-20 °C至95 °C；4.符合GR-468非密封封装使用标准；5.优异的可靠性；6.顶部阳极和背面阴极配置。

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厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“连贯”这个名字，是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结，明确的目标，以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术，连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFLEX虹膜™固态激光系统在小型封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到要求高性能但需要保持较小形状系数的仪器中。由于主动温度控制，激光器无模式跳变，波长稳定。所有CW iFLEX iRIS激光器都使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能可提供高度稳定的输出功率，并确保在产品的整个使用寿命内保持高功率稳定性。

  • 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • 10.26 μm DISTRIBUTED FEEDBACK (DFB) QCL 半导体激光器 10.26 μm 分布式反馈（DFB）QCL 半导体激光器 AdTech Optics Inc.

    输出功率: 59.3mW

    10.26μm分布反馈（DFB）QCL.

  • 1030nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1030纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1030nm 输出功率: 280mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

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