半导体激光器产品目录_生产厂家_选型采购平台-光电查

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.890um 输出功率: 3000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近3000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

FDL-920-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.920um 输出功率: 1000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱学。

FDL-920-1W-TAL 锥形放大器，用于外部空腔设置

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.920um 输出功率: 1000mW

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

FDL-920-2W-TA用于MOPA的锥形放大器

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.920um 输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

FDL-920-2W-TAL 锥形放大器，用于外部空腔设置

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.920um 输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

FDL-950-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.950um 输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

FDL-950-2W-TAL 锥形放大器，用于外部空腔设置

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.950um 输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

FDL-976-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.976um 输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

FDL-976-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.976um 输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

FDL-976-3W-TA用于MOPA的锥形放大器

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.976um 输出功率: 3000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近3000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

FDL-976-3W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.976um 输出功率: 3000mW

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

Fermion i系列交钥匙光纤耦合激光器

澳大利亚

分类：半导体激光器

厂商：Warsash Scientific Pty Ltd

激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 纤维类型: Multi-Mode 波长: 1600nm 输出功率: 50mW 纤维芯直径: 45000um

费米子I系列交钥匙光纤耦合激光器旨在使激光器的使用变得简单方便。这些系统具有更高的输出功率，通常为耦合到单模光纤的10-60mW，而通常可用的输出功率为1mW或更低。离散波长的范围覆盖从405nm到1600nm的跨度。在内部，激光器被耦合到用于该特定波长的单模光纤。所有激光器都是温度控制的，以获得较高的稳定性。输出经过空间滤波，可使用旋钮或外部电压源在零至全功率范围内进行调节。激光器可以在CW或脉冲模式下运行，并包括一米长的光纤跳线。光纤的输出可以通过具有可调焦距的FC系列光纤准直器进行准直。它们的孔径从5毫米到45毫米，光束尺寸从2毫米到33毫米。准直器上的插座为FC或FC/APC。

Fermion III系列更高功率的光纤耦合激光器

澳大利亚

分类：半导体激光器

厂商：Warsash Scientific Pty Ltd

激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 纤维类型: Multi-Mode 波长: 1064nm 输出功率: 490mW 纤维芯直径: 100um

费米子III系列交钥匙光纤耦合激光器旨在使激光器的使用变得简单方便。这些系统具有较高的输出功率，通常为50至490mW，与100微米纤芯光纤耦合。离散波长的范围覆盖从375nm到1064nm的跨度。在内部，激光器耦合到100微米芯光纤。所有激光器都是温度控制的，以获得较高的稳定性。使用旋钮或外部电压源，可在零至全功率范围内调节输出。激光器可以在CW或脉冲模式下运行。它包括一米长的光纤跳线。光纤的输出可以通过可调焦距的FC系列光纤准直器进行准直。它们的孔径从5毫米到45毫米。