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  • M9-808-0150 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0.15 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 0.18 to 0.22 A

    Thorlabs Inc的M9-808-0150是一款激光二极管,波长为808 nm,输出功率为0.15 W,工作电压为1.9至2.2 V,工作电流为0.18至0.22 A,输出功率(CW)为0.15 W.M9-808-0150的更多详细信息见下文。

  • QD10622HH 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed Feedback (DFB), Quantum well 工作模式: CW Laser 波长: 10.622 µm 输出功率: 20 to 30 mW 工作电压: 12 V
  • QD5263HH 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed Feedback (DFB), Quantum well 工作模式: CW Laser 波长: 5.263 µm 输出功率: 20 to 30 mW 工作电压: 12 V

    Thorlabs Inc的QD5263HH是一款连续波分布式反馈量子级联激光二极管,工作波长为5.263µm.它以单一纵向模式工作。该激光二极管的光输出功率为30mW,光束发散角(FWHM)为6mrad.这款QD5263HH的阈值电流为300 mA,工作电流为1 A.它采用高热负荷封装(HHL),具有准直输出,能够通过标准HHL引脚排列提供温度和电气控制。该激光二极管是化学分析、传感和红外对抗的理想选择。

  • QD7716HH 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed Feedback (DFB), Quantum well 工作模式: CW Laser 波长: 7.716 µm 输出功率: 20 to 30 mW 工作电压: 12 to 14 V
  • QD8050CM1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 8000 to 8100 nm(8 to 8.1 µm) 输出功率: 0.1 W 工作电流: 0 to 1 A 类型: Free Space Laser Diode

    Thorlabs Inc的QD8050CM1是一款激光二极管,波长为8000至8100 nm(8至8.1µm),输出功率为0.1 W,工作电流为0至1 A,输出功率(CW)为0.1 W.有关QD8050CM1的更多详细信息,请联系我们。

  • QF3850HHLH 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW 波长: 3775 to 3850 nm 输出功率: 0.6 W 工作电压: 13 to 15 V

    Thorlabs Inc的QF3850HHLH是一款法布里-珀罗量子级联激光器,工作范围为3.775至3.925µm.该单空间模式激光器提供320mW的光输出功率。它具有6mrad的光束发散度(FWHM)和1.5mm的光束直径。该多纵模激光器的正向电压为13V,阈值电流高达0.2A,在室温下以连续波(CW)模式工作,具有准直输出。该激光器采用高热负荷(HHL)封装。

  • QF3850T1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Cascade 工作模式: CW Laser 波长: 3.85 µm 输出功率: 200 mW 工作电流: 13.5 to 0.6 A

    Thorlabs的QF3850T1是一款法布里-珀罗量子级联激光二极管,工作范围为3.75至3.95µm.该单空间模式激光器提供200mW的光输出功率。它具有30度的平行光束发散角(FWHM)和40度的垂直光束发散角(FWHM)。该激光二极管的正向电压为13.5V,阈值电流高达250mA.它具有发散的输出光束,并且在室温下以连续波(CW)模式工作。该半导体激光二极管的发射表面由ZnSe窗口保护,并且该二极管在TO-9封装中可用。

  • QF4050D2 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 3.90 to 4.20 µm 输出功率: 0.8 W 工作电流: 750 to 1300 mA

    来自Thorlabs的QF4050D2是一款单空间模式的法布里-珀罗量子级联激光器,在4050 nm下工作时可提供800 MW的输出功率。该激光器在室温下以连续波(CW)模式工作。它安装在开放式加热器上

  • QF4050D3 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 3.90 to 4.20 µm 输出功率: 1.2 W 工作电流: 1000 to 1800 mA

    来自Thorlabs的QF4050D3是一款单空间模式、4050 nm Fabry-Perot量子级联激光器,可提供高达1.2瓦的输出功率。该激光器在室温下以连续波(CW)模式工作。QF4050D3安装在开放式散热器D型安装封装上,阴极和阳极均与散热器底座隔离。这种分立半导体激光器是一种适用于许多应用的紧凑型光源。集成了一个热敏电阻,用于温度监控。没有监控光电二极管。

  • QF4600T2 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 4450 to 4750 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 13 to 14 V

    Thorlabs Inc的QF4600T2是4.45至4.75µm的法布里-珀罗量子级联激光器(QCL)二极管。这种单空间模式激光器的最大输出功率高达500 MW.它具有30度的平行光束发散角和40度的垂直光束发散角。该激光二极管采用TO-9封装,可在15至50°C的温度范围内工作。

  • QF8350CM1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot Laser (FP), Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 8350 to 8350 nm(8.35 µm) 输出功率: 0.3 W 工作电流: 1.75 to 2 A

    Thorlabs Inc的QF8350CM1是一款激光二极管,波长为8350至8350 nm(8.35µm),输出功率为0.3 W,工作电流为1.75至2 A,输出功率(CW)为0.3 W.有关QF8350CM1的更多详细信息,请联系我们。

  • ULN15PC 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 工作模式: CW Laser 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 100 to 140 mW 工作电流: 650 to 800 mA

    Thorlabs Inc生产的ULN15PC是一种激光二极管,波长为1530至1565 nm,输出功率为100至140 MW,工作电流为650至800 mA,工作电流为650至800 mA.有关ULN15PC的更多详细信息,请联系我们。

  • ULN15PT 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 工作模式: CW Laser 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 100 to 140 mW 工作电流: 650 to 800 mA

    Thorlabs Inc生产的ULN15PT是一款激光二极管,波长为1530至1565 nm,输出功率为100至140 MW,工作电流为650至800 mA,工作电流为650至800 mA.有关ULN15PT的更多详细信息,请联系我们。

  • EVO-577 半导体激光器
    美国
    厂商:NECSEL
    工作模式: CW Laser 波长: 577 nm 输出功率: 0.3 to 0.35 W 工作电压: 3 V 工作电流: 20 A

    NECSEL的EVO-577是一款激光二极管,波长为577 nm,输出功率为0.3至0.35 W,工作电压为3 V,工作电流为20 A.EVO-577的更多详情见下文。

  • 20XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2025 nm 输出功率: 0.0405 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的20xx nm SAF增益芯片是波长为2025 nm、输出功率为0.0405 W、工作电压为1 V、工作电流为0.3 A、阈值电流为50 mA的激光二极管。有关20xx nm SAF增益芯片的更多详细信息,请联系我们。

  • 23XX纳米的CW激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2315 nm 输出功率: 0.04 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司的23xxnm连续激光二极管是一种波长为2315nm,输出功率为0.04W,工作电压为1.5V,工作电流为0.6A,阈值电流为30mA的激光二极管。23xx nm CW激光二极管的更多详细信息可以在下面看到。

  • 23XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2290 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司生产的23xxnm大功率激光二极管,波长为2290nm,输出功率为0.5W,工作电压为1.5V,工作电流为5A,阈值电流为300mA.23xx nm高功率二极管的更多详细信息可以在下面看到。

  • 23XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2250 nm 输出功率: 0.016 to 0.01 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的23xx nm SAF增益芯片是一种激光二极管,波长为2250nm,输出功率为0.016至0.01W,工作电压为1V,工作电流为0.3A,输出功率(CW)为0.016至0.01W.23xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • 24XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2433 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.4 V

    Brolis Semiconductors的24xx nm高功率二极管是一种连续波法布里-珀罗激光二极管,工作波长为2450 nm.单发射器可提供高达600 MW的功率,激光棒可提供超过5 W的功率。该设备基于Brolis公司专有的GaSb I型激光技术,并在Brolis公司最先进的洁净室设施中进行开发,包括在市场上最大的3英寸GaSb衬底平台上进行先进的多晶片分子束外延。这种单TE00偏振激光器需要1.4 V的电源,消耗高达6 A的电流。它采用TO-CAN封装,腔长为1.0/1.5/2.0 mm,发射极宽度为90/120/150µm,非常适合安全、医疗、研究和检测应用。

  • 24XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2380 nm 输出功率: 0.005 to 0.095 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的24xx nm SAF增益芯片是一款激光二极管,波长为2380 nm,输出功率为0.005至0.095 W,工作电压为1 V,工作电流为0.3 A,输出功率(CW)为0.005至0.095 W.24xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。