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光电查为您提供7027个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 808、915、976或1064nm高功率半导体激光管10至450W 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE

    产品型号 :High Power LD 这些高功率半导体激光管可提供现货,也可以和带风冷温度调节功能的半导体激光管驱动器组装连用。 3类集成可选:单独半导体激光管;半导体激光管+开放式驱动器(可轻松更换半导体激光管);集成了驱动器和高功率连接器的半导体激光管。 风扇速度自动调整。 可通过 GUI 自动控制或精确调整电压合规水平。 激光管+驱动器开放版本外形紧凑,性能优良。

  • 808nm半导体激光管:从250mW单模到100W多模的光纤耦合半导体激光管 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE

    产品型号 :808LD 这些光纤耦合 808 nm 半导体激光管可现货提供,或与 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 它们与用于多模半导体激光管的高速纳秒脉冲驱动器或高功率 CW 和带空气冷却的脉冲驱动器相兼容。 单模808 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲范围内达到 400 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能,脉宽低至1纳秒。 808 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲。 CW和脉冲模式下提供 4 种多模版本,100 µm 多模光纤中功率高达 60 W,200 µm 多模光纤中功率高达 100 W 。

  • 915nm激光二极管:从250mW单模到300W多模的光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE

    产品型号 :915LD 这些光纤耦合 915 nm 激光二极管作为库存商品提供,或与 CW 或脉冲激光二极管驱动器相关联。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带风冷的高功率连续驱动器兼容,适用于多模高功率半导体激光管版本。 单模 915 nm 激光二极管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 400 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能,脉宽低至1纳秒。 915 nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据外部 TTL 信号的需要生成。 提供 7 种多模版本,用于 200 µm 纤芯多模光纤中高达 300 W 的 CW 发射,或 135 µm 纤芯光纤中高达 250 W 或 105 µm 纤芯光纤中高达 160 W 的 CW 发射。

  • 940nm半导体激光管:从单模250mW到多模200W的光纤耦合半导体激光管 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE

    产品型号 :940LD 这些光纤耦合 940nm半导体激光管作为现货提供,或与连续/脉冲半导体激光管驱动器相集成作为整体光源模块交付。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带风冷的高功率连续驱动器兼容,适用于多模高功率半导体激光管版本。 单模 940 nm半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 400 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能,脉宽低至1纳秒。 940 nm半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需要由外部 TTL 信号生成。 提供 5 种多模版本,用于 200 µm 纤芯多模光纤中高达 200 W 的连续输出或 105 µm 纤芯光纤中高达 150 W 连续输出。

  • 976nm半导体激光管:窄线宽,600mW单模到140W多模 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE

    产品型号 :976LD 这些带光连接器的光纤耦合 976 nm 半导体激光管提供现货,可与 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或 CW 驱动器兼容。 Yb 3+或 Er 3+泵浦应用中(布拉格光栅技术),模块的发射带宽很窄。 大多数 976 nm 半导体激光管 + 驱动器解决方案被用来优化单发至 CW 性能,脉冲宽度低至 1 纳秒。 976 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲,纳秒脉冲模式下功率高达1500 mW。 5 种多模版本106 µm多模光纤 (NA=0.22) 下CW 发射功率高达140 W 。 每个半导体激光管都有自己的光连接器:FC/APC 用于单模版本,高功率 SMA905 用于多模版本。

  • 980nm半导体激光管:从单模350mW到多模450W的光纤耦合半导体激光管 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE

    产品型号 :980LD 这些光纤耦合 980 nm 半导体激光管作为现货提供,或与连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 大多数版本与我们的高速纳秒脉冲驱动器或连续驱动器兼容(高功率多模版本半导体激光管本具有风冷)。 单模 980 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 1500 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能,脉宽低至1纳秒。 980nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需要由外部TTL 信号生成。 提供 7 种多模版本,用于高达 450 W 的连续输出。它们耦合在高达 150 W 的 106 µm 纤芯多模光纤 (NA=0.22)、高达 250 W 的 135 µm 纤芯和高达 450 W 的 200 µm 纤芯中。

  • 1470nm半导体激光管-连续/脉冲-DFB版本或布拉格版本-高达30W的单模或多模版本 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1470 nm

    产品型号 :1470LD or 1480LD 这些光纤耦合 1470 nm半导体激光管作为现货提供,或与连续/脉冲半导体激光管驱动器相集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB版本是高达 40 mW 的单频版本。 它们与我们的低噪声连续或脉冲高速纳秒脉冲驱动器兼容,这使其成为 热表面激光物质相互作用系统或Er 3+ -离子泵浦的较优解。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术,单模 1470 nm半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪声很低。 大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块均经过优化,以保证脉冲(脉宽低至1纳秒)到连续工作模式下的性能表现。 1470nm半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需求由外部 TTL 信号生成。

  • V00145 795nm/895nm/894nm VCSEL;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 光功率: 0.13 W 工作/焊接温度: -20°C-110°C 储存温度: -40°C-125°C 正向电流(保持单模): 1.5mA

    V00145 795nm VCSEL;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用

  • V00140 895nm/894nm/795nm VCSEL;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 895 nm 光功率: 0.3 W 操作/焊接温度: -20°C to 110°C 储存温度: -40°C to 125°C 正向电流(保持单模): max. 1.5mA

    V00140 895nm VCSEL;现货,其他规格也有存货(如894nm/795nm/808nm),如有需要,请联系我们。单模;窄线宽; 应用:原子钟、磁力计。

  • 680纳米VCSEL V00146 - 多模式 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 680 nm 光功率: 1.7-5.5 W 储存温度: -40 to 125°C 工作温度: -20°C to 50°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

    多横模680nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)设计用于需要高效光功率源以及可见光范围。该产品可以创建具有高分辨率的小尺寸光斑。 波长:680nm;裸片尺寸:0.22毫米X 0.22毫米;单孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:7mW;

  • 940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 10.5 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~110°C 正向电流: max. 22mA

    波长:940nm;裸片尺寸:0.175 mm X 0.215 mm3个光圈;建议较大峰值功率CW,100%DC:15 MW;

  • 850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 0.5 W 操作/焊接温度: -40°C - 100°C 储存温度: -40°C - 100°C 正向电流: max. 2.2A

    货号:V00151;裸片尺寸:0.52毫米X 0.52毫米100孔;建议的较大峰值功率连续波,100%直流:0.5W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:1W;推荐较大峰值功率5纳秒,0.1%直流:5瓦

  • 850纳米VCSEL V00027 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 100°C 储存温度: -40°C to 100°C 正向电流: 7A 脉冲操作电流: 4.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00027;裸片尺寸:0.87毫米X 0.87毫米281孔;建议较大峰值功率连续波,100%直流:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 850nmVCSEL芯片V00124 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 3.3 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~100°C 正向电流: 8A

    货号:V00124;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:9W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 850纳米VCSEL V00029 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 4.2 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲): max. 18A

    货号:V00029;裸片尺寸:1.26毫米X 1.26毫米770孔;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:12W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 10 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10 A

    货号:V00133;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:78W

  • 940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 2.3 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A

    货号:V00059;裸片尺寸:0.87mm X 0.87mm 281孔径;建议较大峰值功率CW,100%DC:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00081;裸片尺寸:0.9毫米X 1.00毫米550孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:8W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 940纳米VCSEL V00155 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C~100°C 储存温度: -20°C~110°C 正向电流: 8.5A 正向电流(脉冲操作): 3.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(2J);推荐的较大峰值功率CW,100%DC:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:10W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:75W

  • 940纳米VCSEL V00156 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C-100°C 储存温度: -20°C-110°C 正向电流(脉冲操作): 7A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00156;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(3J);建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:12W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:110W