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工作电流
Operating Current（mA）
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工作电压
Operating Voltage（V）
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输出功率
Output Power（mW）
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阈值电流
Threshold Current（mA）
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波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
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V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）
厂家：Vixar Inc.
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APA4501040001 波长为840nm、850nm、860nm激光二极管
厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH
光电查为您提供7071个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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波长: 1063.5 nm 类型: CW/脉冲 技术: 分布式反馈（DFB） 输出功率（脉冲）: 800 mW 输出功率: 200 mWII-VI CMDFB1064B下一代波长稳定高功率单频单模激光模块被设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。位于激光腔中的分布式反馈光栅（DFB）可在几次往返行程内实现波长稳定。激光芯片和封装针对亚纳秒级脉冲操作进行了优化。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许高峰值输出功率，这些功率在时间和温度下都非常稳定。
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波长: 910 nm 芯片技术: 可切割的8个单管组成的单片线性阵列巴条 工作电流: 10.8A 阈值电流: 0.54A 发射器数量: 8单管芯片(未切割的巴条) ，发射器宽度100μm，910nm；现货库存，请联系客服咨询。推荐用于连续波(cw)-应用，光纤激光泵浦，直接材料加工，医疗应用，打印应用.
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波长: 447 nm 激光颜色: 蓝光 光束散度平行: 9 Degrees 光束散度垂直: 49 Degrees 工作电流: 最大4A来自OSRAM的PLPCOS 450E，是波长为447nm的具有CoS封装的蓝光激光二极管。输出功率为5W，光束发散角（1/e²）为9°（平行）和49°（垂直）。它的阈值电流为0.29A（最大0.45A），最大工作电流为4A。该激光二极管非常适合激光材料加工，家用投影，专业投影，舞台灯光应用。
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类型: 半导体激光巴条芯片（裸片） 芯片技术: MOVPE生长量子阱结构 光束散度平行: 6.4 Degrees 光束散度垂直: 40 Degrees 电源转换效率: 65%来自OSRAM的SPL BF98-40-5-01B，是波长为980nm的半导体激光巴条芯片（裸片）。单片线性激光阵列由5个单管组成，峰值输出功率为40W，光束发散角为6.4°（平行）和40°（垂直）。它的阈值电流为2.7A（最大3.1A），转换效率为65%，正向电流为41A，可应用于激光材料加工。
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中心波长: 450 um 输出功率: 30000 mWE-Lyrae系列：450 nm高功率激光模块，基于关于E-Lyrae系列多发射器模块技术，针对蓝光激光器芯片特性进行优化，由电子控制系统集成。内置驱动器，另外一款没有。这两种产品皆有。
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波长: 760 nm 类型: 自由空间VCSEL 正向电压: 2 V 芯片技术: VCSEL 技术: 单模锁偏窄线宽VCSEL来自TRUMPF的TTO-007-760-A，是波长为760nm具有TO5封装的单模锁偏窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.3mW，阈值电流为0.5-1mA，工作电流为1-2mA，线宽为100MHz。该产品集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电（ESD），锁偏功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。TO封装将电子器件密封在外壳内部，即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。该产品集成有TEC的TO外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。该产品非常适用于氧气传感技术。
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波长: 795 nm 类型: 自由空间VCSEL 芯片技术: VCSEL 技术: 单模窄线宽VCSEL 应用行业: 位置传感，运动控制，医疗设备，打印，测量和光谱传感（例如原子钟）来自Vixar的795S-0000-x002，是波长为795nm具有TO-46封装的单模窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.06-0.17mW@85℃，0.1-0.25mW@25℃，0.04-0.16mW@95℃，阈值电流为0.6-0.9mA，线宽≤100MHz，调制带宽≥4GHz，符合行业标准PLCC4 SMT封装或行业标准PLCC2 SMT封装。可应用于位置传感、运动控制、医疗设备、印刷、测量和光谱传感（如原子钟）。该产品是专为低功耗、偏振和光谱稳定性而设计。
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波长: 450 nm 纤芯直径: 114μmE-Lyrae系列：450 nm高功率激光模块，输出功率有30W，60W和80W三种，基于关于E-Lyrae系列多发射器模块技术，针对蓝光激光器芯片特性进行优化，由电子控制系统集成。内置驱动器，另外一款没有。这两种产品皆有。
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波长: 1064 nm1064nm蝶形激光二极管。高达700 MW CW.兼容Option-1（光纤连接器）、Option-2（3 mm光束准直器）和Option-6（带FBG的窄发射光谱）
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波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg开放式CW驱动器，配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。单模光纤输出高达700 MW的CW光功率。与Option-2（3 mm光束准直器）和Option-6（带FBG的窄光谱）兼容。
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波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg开放式脉冲和连续波驱动器，配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。高达400 MW的连续波光功率和700 MW的脉冲功率；脉冲持续时间低至1.5ns；脉冲重复频率高达4 MHz.与选件2（3 mm光束准直器）、选件3（250 MHz版本）和选件6（带布拉格光栅的窄发射光谱）兼容。
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波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg开放式脉冲和连续波驱动器，配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。高达400 MW连续波光功率和1500 MW脉冲功率；脉冲持续时间低至1.5ns；脉冲重复频率高达10 MHz.与Option-2（3 mm光束准直器）和Option-3（250 MHz版本）兼容。
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波长: 1064 nm 技术: DFB1064nm DFB激光二极管。高达200毫瓦连续波，500毫瓦脉冲；CW中的~200 kHz发射带宽。与Option-1（光纤连接器）和Option-2（3 mm光束准直器）兼容。注：这些二极管不适用于CW模式中的模式跳变是临界点的应用。
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波长: 1064 nm 技术: DFB开放式超低噪声CW驱动器，配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。单频应用需要低噪声驱动器。单模光纤输出高达200 MW的连续波光功率。与Option-2（3mm光束准直器）兼容。注：这些二极管不适用于CW模式中的模式跳变是临界点的应用。
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波长: 1064 nm 技术: Ultra Broad FBG具有布拉格光栅和宽发射带宽（>2nm）的1064nm蝶形激光二极管。平均功率500兆瓦；峰值功率>1800 MW；选项1（光纤连接器）和选项2（3毫米光束准直器）。
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波长: 1064 nm 技术: Multimode高功率激光二极管在105/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）的1064 nm波长下发射高达9 W的功率，并配有SMA905光学连接器。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。
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波长: 1064 nm 技术: Multimode高功率激光二极管在105/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）的1064 nm波长下发射高达25 W的功率，并配有SMA905光学连接器。与选项6兼容：高功率准直器。
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波长: 808 nm 技术: Butterfly single mode808nm蝶形激光二极管。高达250 mW CW.配有900µm光纤缓冲器和FC-APC光纤连接器的Hi780光纤。与选项1：PM光纤、选项2（带FBG的窄发射）和选项3（3 mm准直器）兼容。
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波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）发出高达35 W的功率，并配有SMA905光纤连接器。与选项7：高功率准直器（见下文）兼容。
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波长: 808 nm 技术: Multimode single emitter高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）发出高达10 W的功率，并配有SMA905光纤连接器。与选项7：高功率准直器（见下文）兼容。