参数:
  • 工作电流

    Operating Current(mA)

    确定 取消
  • 工作电压

    Operating Voltage(V)

    确定 取消
  • 输出功率

    Output Power(mW)

    确定 取消
  • 阈值电流

    Threshold Current(mA)

    确定 取消
  • 波长

    Wavelength(nm)

    确定 取消
推荐专栏
  • 专业选型
  • 正规认证
  • 品质保障
查看更多 >

光电查为您提供7071个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • QL80S4HD-Y 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 803 to 813 nm 输出功率: 500 mW 工作电压: 2.2 to 3 V

    Quantum Semiconductor International的QL80S4HD-Y是一种激光二极管,波长为803至813 nm,输出功率为500 MW,工作电压为2.2至3 V,工作电流为550至700 mA.有关QL80S4HD-Y的更多详细信息,请联系我们。

  • QL80T4HD-Y 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 785 to 830 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2 to 2.5 V

    Quantum Semiconductor International的QL80T4HD-Y是一款激光二极管,波长为785至830 nm,输出功率为1 W,工作电压为2至2.5 V,工作电流为1.1至1.5 A.有关QL80T4HD-Y的更多详细信息,请联系我们。

  • QL82R63A/B 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 819 to 829 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL82R63A/B是波长为819至829nm的激光二极管,输出功率为200mW,工作电压为1.8至2.6V,工作电流为210至250mA.有关QL82R63A/B的更多详细信息,请联系我们。

  • QL82R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 819 to 829 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    QL82R6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为819至829 nm,输出功率为200 MW,工作电压为1.8至2.6 V,工作电流为210至240 mA.有关QL82R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83D6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 822 to 834 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 1.85 to 1.95 V

    QL83D6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为822至834 nm,输出功率为5 MW,工作电压为1.85至1.95 V,工作电流为15至28 mA.有关QL83D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83F6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.7 to 2.4 V

    QL83F6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为820至840 nm,输出功率为10 MW,工作电压为1.7至2.4 V,工作电流为30至55 mA.有关QL83F6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83H6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    QL83H6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为820至840 nm,输出功率为20 MW,工作电压为1.9至2.5 V,工作电流为45至70 mA.有关QL83H6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83O6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 100 mW 工作电压: 1.7 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL83O6S-A/B/C是波长为820至840 nm、输出功率为100 MW、工作电压为1.7至2.5 V、工作电流为120至170 mA的激光二极管。有关QL83O6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 815 to 840 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL84S6SL 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 835 to 855 nm 输出功率: 450 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85D6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 855 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 1.8 to 2.5 V

    QL85D6S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为845至855 nm,输出功率为5 MW,工作电压为1.8至2.5 V,工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85G63E 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 855 nm 输出功率: 15 mW 工作电压: 2.2 to 2.4 V

    Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管,波长为845至855 nm,输出功率为15 MW,工作电压为2.2至2.4 V,工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85H6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    QL85H6S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为845至865 nm,输出功率为20 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85I6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 860 nm 输出功率: 30 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管,波长为845至860 nm,输出功率为30 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85J6S-A/B/C-L 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 40 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL85R6S-A/B/C是波长为840至860 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.6 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL85R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL90F7S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 885 to 915 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.5 to 2.3 V

    QL90F7S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为885至915 nm,输出功率为10 MW,工作电压为1.5至2.3 V,工作电流为35至60 mA.有关QL90F7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL94J6SA/B/C 半导体激光器
    应用行业: Industrial 技术: Quantum Well 芯片技术: InGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 930 to 950 nm

    来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装,内置光电二极管,用于监控激光二极管。

  • QL94R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 930 to 950 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.4 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • b2-808-3000-xxx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    应用行业: Medical 技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 3 W

    Sheaumann Laser的B2-808-3000是一款连续波激光二极管,工作波长为808 nm.该激光二极管提供3 W的光输出功率,斜率效率为1 W/A.它具有电压为2.3 V的内部TEC,电流高达3.3 A,需要0.3 A的阈值电流。该多模式激光二极管是电隔离的,具有内部热敏电阻和PD.它采用密封的14针蝶形封装,提供多种光纤和连接器选项,是拉曼光谱、激光治疗、激光泵浦、标记、印刷、医疗和国防应用的理想选择。