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光电查为您提供7071个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 8.31 µm TO3 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 8310 nm 输出功率: 0.09 W 工作电压: 13.6 V

    Adtech Optics的8.31µm TO3是一款激光二极管,波长为8310 nm,输出功率为0.09 W,工作电压为13.6 V,工作电流为3.63 A,阈值电流为370 mA.下面可以看到8.31µm TO3的更多详细信息。

  • 8.70 µm HHL Pkg 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 8700 nm 输出功率: 0.44 W 工作电压: 9.2 V

    Adtech Optics的8.70µm HHL PKG是一款激光二极管,波长为8700 nm,输出功率为0.44 W,工作电压为9.2 V,工作电流为1.93 A,阈值电流为1060 mA.有关8.70µm HHL PKG的更多详细信息,请联系我们。

  • 9.00 µm HHL Pkg 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 9000 nm 输出功率: 0.59 W 工作电压: 11.9 V

    Adtech Optics的9.00µm HHL PKG是一款激光二极管,波长为9000 nm,输出功率为0.59 W,工作电压为11.9 V,工作电流为1.60 A,阈值电流为730 mA.有关9.00µm HHL PKG的更多详细信息,请联系我们。

  • 9.26 µm CS-Mount 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 9260 nm 输出功率: 0.47 W 工作电压: 13.2 V

    Adtech Optics的9.26µm CS-Mount是一款激光二极管,波长为9260 nm,输出功率为0.47 W,工作电压为13.2 V,工作电流为2.27 A,阈值电流为880 mA.有关9.26µm CS-Mount的更多详细信息,请联系我们。

  • 9.47 µm C-Mount 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 9470 nm 输出功率: 0.05 W 工作电压: 10.2 V

    Adtech Optics的9.47µm C-Mount是一款激光二极管,波长为9470 nm,输出功率为0.05 W,工作电压为10.2 V,工作电流为0.48 A,阈值电流为340 mA.有关9.47µm C-mount的更多详细信息,请联系我们。

  • 9.47 µm HHL Pkg 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 9470 nm 输出功率: 0.26 W 工作电压: 10.4 V

    Adtech Optics的9.47µm HHL PKG是一款激光二极管,波长为9470 nm,输出功率为0.26 W,工作电压为10.4 V,工作电流为0.48 A,阈值电流为310 mA.有关9.47µm HHL PKG的更多详细信息,请联系我们。

  • WLD-175-405 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    工作模式: CW 波长: 405 nm 工作电压: 5 V 工作电流: 150 mA 阈值电流: 55 mA

    World Star Tech的WLD-175-405是一款蓝紫色激光二极管,工作波长为405 nm.该激光器输出功率为175mW,斜率效率为1.1W/A,垂直发散角为20°,平行发散角为9°。要求阈值电流为55 mA,反向电压高达2 V.该激光二极管功耗为150 mA,要求直流电源为5 V.采用Ø5.6 mm封装,非常适合生物医学应用。

  • RLD2BPND1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 660 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 0.023 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPND1是波长为660nm,输出功率为0.02W,工作电压为2.2V,工作电流为0.023A,阈值电流为13mA的激光二极管。有关RLD2BPND1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2BPNK2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 787 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.029 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK2是一种波长为787nm、输出功率为0.02W、工作电压为1.8V、工作电流为0.029A、阈值电流为12mA的激光二极管。有关RLD2BPNK2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2BPNK4 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK4是一种波长为792nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.03A、阈值电流为10mA的激光二极管。有关RLD2BPNK4的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2BPNK5 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 787 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.023 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK5是一种波长为787nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.023A、阈值电流为12mA的激光二极管。有关RLD2BPNK5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMFL3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 685 to 782 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.2 V 工作电流: 0.017 to 0.018 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMFL3是波长为685至782nm的激光二极管,输出功率为0.01W,工作电压为1.8至2.2V,工作电流为0.017至0.018A,阈值电流为12至13mA.有关RLD2WMFL3的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMFR1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 658 to 790 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.9 to 2.3 V 工作电流: 0.045 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMFR1是波长为658至790 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为1.9至2.3 V、工作电流为0.045 A、阈值电流为30至35 mA的激光二极管。有关RLD2WMFR1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMFV2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 658 to 782 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.027 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMFV2是波长为658至782nm的激光二极管,输出功率为0.01W,工作电压为1.8至2.3V,工作电流为0.027A,阈值电流为18至20mA.有关RLD2WMFv2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMNL2-00x 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 658 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.018 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2-00X是波长为658至668 nm的激光二极管,输出功率为0至0.007 W,工作电压为2.3至2.8 V,工作电流为0.018至0.035 A,阈值电流为18至35 mA.有关RLD2WMNL2-00x的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMNL2-01x 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 658 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.018 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2-01X是波长为658至668nm的激光二极管,输出功率为0至0.007W,工作电压为2.3至2.8V,工作电流为0.018至0.035A,阈值电流为18至35mA.有关RLD2WMNL2-01x的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMNL2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 663 to 785 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.024 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2是波长为663至785nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8至2.3V、工作电流为0.02至0.024A、阈值电流为15至18mA的激光二极管。有关RLD2WMNL2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD4BPMP1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP1是一种波长为792nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.03A、阈值电流为10mA的激光二极管。有关RLD4BPMP1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD4BPMP2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 0.025 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP2是一种波长为792nm的激光二极管,输出功率为0.02W,工作电压为1.7V,工作电流为0.025A,阈值电流为14mA.有关RLD4BPMP2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD63NPC5 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 645 nm 输出功率: 0 to 0.006 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V 工作电流: 0.024 to 0.035 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD63NPC5是波长为630至645nm的激光二极管,输出功率为0至0.006W,工作电压为2.2至2.7V,工作电流为0.02 4至0.035A,阈值电流为24至35mA.有关RLD63NPC5的更多详细信息,请联系我们。