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工作电流
Operating Current(mA)
确定 取消 -
工作电压
Operating Voltage(V)
确定 取消 -
输出功率
Output Power(mW)
确定 取消 -
阈值电流
Threshold Current(mA)
确定 取消 -
波长
Wavelength(nm)
确定 取消
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家:ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家:ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家:ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管;单管功率:11瓦;波长:910nm;条宽:100µm
厂家:ams OSRAM
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V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片)
厂家:Vixar Inc.
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APA4501040001 波长为840nm、850nm、860nm激光二极管
厂家:II-VI Laser Enterprise GmbH
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应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 8 W
Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率,脉冲宽度为150ns(占空比为0.1%)。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A,腔长为1500μm.它具有30度(垂直)的快轴划分和10度(平行)的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源,阈值电流高达1 A.它采用TO56封装,尺寸为50 X 1μm,非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。
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应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 11 W
Seminex公司的TO56M-100是一种高功率脉冲激光二极管,工作波长为1250nm,光谱宽度为15nm.它提供11W的光输出功率。该激光二极管具有10度的平行光束发散角和30度的垂直光束发散角。TO56M-100的阈值电流为1 A,驱动电流约为29 A,正向电压为8.5 V.它采用紧凑型TO56封装,带有1.9mm底座和可选的2.8mm电容。这款激光二极管是OEM医疗、消费医疗、激光雷达、军事定位、测距和照明应用的理想选择。