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工作电流
Operating Current（mA）
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工作电压
Operating Voltage（V）
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输出功率
Output Power（mW）
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阈值电流
Threshold Current（mA）
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波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
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V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）
厂家：Vixar Inc.
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APA4501040001 波长为840nm、850nm、860nm激光二极管
厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH
光电查为您提供7071个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1310 nm 输出功率: null-180 mW这些光纤耦合 1310 nm 半导体激光管可提供现货，可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 所有 4 种型号均为单频版本（DFB 半导体激光管），功率高达180 mW。 它可与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容，适用于无线电通信或 3D 传感研发。 单模 1310 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲范围内达到 250 mW 的功率。 大多数集成半导体激光管和驱动器解决方案被用来优化单发至CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 1310 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲。 便于进行复杂的突发脉冲序列整形。
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激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1390 nm产品型号 :1390LD 这些光纤耦合 1390 nm 半导体激光管作为现货提供，或与低噪声连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 所有 3 种型号均为单频版本，功率高达 40 mW。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容，这使其成为电信或 3D 传感研发的较佳解决方案。 这些单模 1390 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 40 mW 的高功率。 大多数集成半导体激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 1390 nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部 TTL 信号生成。 便于进行复杂的突发脉冲序列整形。
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激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1446 nm产品型号 :1450LD 这些光纤耦合 1450 nm 半导体激光管作为现货提供，也可以和连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB 版本是功率高达 40 mW 的单频版本，与我们的低噪声连续或高速纳秒脉冲驱动兼容，使其成为 热表面激光物质相互作用系统或其他泵浦应用的较优解。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术，单模 1450 nm 半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪声低。 大多数交钥匙激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 1450nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部 TTL 信号生成。
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这些光纤耦合 1480 nm半导体激光管作为库存商品提供，或与连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB版本是高达 40 mW 的单频版本。 它们与我们的低噪声连续/脉冲高速纳秒脉冲驱动器兼容，这使其成为 Er 3+ 离子泵浦或热表面激光物质相互作用系统的较佳解决方案。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术，单模 1480 nm 半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪很声低。 大多数集成半导体激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 1480nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部 TTL 信号生成。
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产品型号 :1550LD 以上光纤耦合 1550 nm 半导体激光管均有现货，可与连续/脉冲半导体激光管驱动搭配使用。 功率高达 120 mW 的单频版本的5款DFB型号。 该半导体激光管可与我们的高速纳秒脉冲驱动相兼容，其解决方案适用于激光雷达飞行时间、FM连续或 3D 传感等领域。 单模版本的1550 nm半导体激光管纳秒脉冲模式下功率高达500 mW。 大多数集成激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 此类光源模块可输出由内部板载脉冲发生器或外部TTL电平触发的高精度1550nm激光脉冲。 便于进行复杂的突发脉冲整形。
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产品型号 :1650LD 这些光纤耦合 1650 nm半导体激光管作为现货提供也可以和连续或脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 4 个型号单频版本，较高 100 mW连续输出和 150 mW 脉冲。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或超低噪声驱动器兼容，这使其成为光纤测试应用（光时域反射仪（OTDR） 或 CH4 气体传感）的较佳解决方案。 这些单模 1650 nm半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高功率。 大多数集成激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 此类光源模块可输出由内部板载脉冲发生器或外部TTL电平触发的高精度1650nm激光脉冲。 便于进行复杂的突发脉冲整形。
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产品型号 :790LD 这些光纤耦合 790nm半导体激光管作为现货提供或与连续/脉冲半导体激光管驱动器相集成作为整体光源模块交付。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带风冷的高功率连续驱动器兼容，适用于多模高功率半导体激光管版本。 单模790nm半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达400mW的高功率。大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块都经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 790 nm半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部 TTL 信号生成。 提供 5 种多模版本，用于 200 µm 纤芯多模光纤中高达 140 W 的连续输出或 105 µm 纤芯光纤中高达 90 W 的连续输出。
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产品型号 :High Power LD 这些高功率半导体激光管可提供现货，也可以和带风冷温度调节功能的半导体激光管驱动器组装连用。 3类集成可选：单独半导体激光管；半导体激光管+开放式驱动器（可轻松更换半导体激光管）；集成了驱动器和高功率连接器的半导体激光管。 风扇速度自动调整。 可通过 GUI 自动控制或精确调整电压合规水平。 激光管+驱动器开放版本外形紧凑，性能优良。
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产品型号 :808LD 这些光纤耦合 808 nm 半导体激光管可现货提供，或与 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 它们与用于多模半导体激光管的高速纳秒脉冲驱动器或高功率 CW 和带空气冷却的脉冲驱动器相兼容。 单模808 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲范围内达到 400 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 808 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲。 CW和脉冲模式下提供 4 种多模版本，100 µm 多模光纤中功率高达 60 W，200 µm 多模光纤中功率高达 100 W 。
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产品型号 :915LD 这些光纤耦合 915 nm 激光二极管作为库存商品提供，或与 CW 或脉冲激光二极管驱动器相关联。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带风冷的高功率连续驱动器兼容，适用于多模高功率半导体激光管版本。 单模 915 nm 激光二极管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 400 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 915 nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据外部 TTL 信号的需要生成。 提供 7 种多模版本，用于 200 µm 纤芯多模光纤中高达 300 W 的 CW 发射，或 135 µm 纤芯光纤中高达 250 W 或 105 µm 纤芯光纤中高达 160 W 的 CW 发射。
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产品型号 :940LD 这些光纤耦合 940nm半导体激光管作为现货提供，或与连续/脉冲半导体激光管驱动器相集成作为整体光源模块交付。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带风冷的高功率连续驱动器兼容，适用于多模高功率半导体激光管版本。 单模 940 nm半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 400 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 940 nm半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部 TTL 信号生成。 提供 5 种多模版本，用于 200 µm 纤芯多模光纤中高达 200 W 的连续输出或 105 µm 纤芯光纤中高达 150 W 连续输出。
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产品型号 :976LD 这些带光连接器的光纤耦合 976 nm 半导体激光管提供现货，可与 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或 CW 驱动器兼容。 Yb 3+或 Er 3+泵浦应用中（布拉格光栅技术），模块的发射带宽很窄。 大多数 976 nm 半导体激光管 + 驱动器解决方案被用来优化单发至 CW 性能，脉冲宽度低至 1 纳秒。 976 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲，纳秒脉冲模式下功率高达1500 mW。 5 种多模版本106 µm多模光纤 (NA=0.22) 下CW 发射功率高达140 W 。 每个半导体激光管都有自己的光连接器：FC/APC 用于单模版本，高功率 SMA905 用于多模版本。
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产品型号 :980LD 这些光纤耦合 980 nm 半导体激光管作为现货提供，或与连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 大多数版本与我们的高速纳秒脉冲驱动器或连续驱动器兼容（高功率多模版本半导体激光管本具有风冷）。 单模 980 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 1500 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 980nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部TTL 信号生成。 提供 7 种多模版本，用于高达 450 W 的连续输出。它们耦合在高达 150 W 的 106 µm 纤芯多模光纤 (NA=0.22)、高达 250 W 的 135 µm 纤芯和高达 450 W 的 200 µm 纤芯中。
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激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1470 nm产品型号 :1470LD or 1480LD 这些光纤耦合 1470 nm半导体激光管作为现货提供，或与连续/脉冲半导体激光管驱动器相集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB版本是高达 40 mW 的单频版本。 它们与我们的低噪声连续或脉冲高速纳秒脉冲驱动器兼容，这使其成为 热表面激光物质相互作用系统或Er 3+ -离子泵浦的较优解。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术，单模 1470 nm半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪声很低。 大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 1470nm半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需求由外部 TTL 信号生成。
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波长: 795 nm 光功率: 0.13 W 工作/焊接温度: -20°C-110°C 储存温度: -40°C-125°C 正向电流(保持单模): 1.5mAV00145 795nm VCSEL；单模；窄线宽；原子钟、磁力计应用
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波长: 895 nm 光功率: 0.3 W 操作/焊接温度: -20°C to 110°C 储存温度: -40°C to 125°C 正向电流(保持单模): max. 1.5mAV00140 895nm VCSEL；现货，其他规格也有存货（如894nm/795nm/808nm），如有需要，请联系我们。单模；窄线宽； 应用：原子钟、磁力计。
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波长: 680 nm 光功率: 1.7-5.5 W 储存温度: -40 to 125°C 工作温度: -20°C to 50°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds多横模680nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）设计用于需要高效光功率源以及可见光范围。该产品可以创建具有高分辨率的小尺寸光斑。 波长：680nm；裸片尺寸：0.22毫米X 0.22毫米；单孔；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：7mW；
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波长: 940 nm 光功率: 10.5 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~110°C 正向电流: max. 22mA波长：940nm；裸片尺寸：0.175 mm X 0.215 mm3个光圈；建议较大峰值功率CW，100%DC：15 MW；
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波长: 850 nm 光功率: 0.5 W 操作/焊接温度: -40°C - 100°C 储存温度: -40°C - 100°C 正向电流: max. 2.2A货号：V00151；裸片尺寸：0.52毫米X 0.52毫米100孔；建议的较大峰值功率连续波，100%直流：0.5W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：1W；推荐较大峰值功率5纳秒，0.1%直流：5瓦
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操作/焊接温度: -40°C to 100°C 储存温度: -40°C to 100°C 正向电流: 7A 脉冲操作电流: 4.5A 反向电压: Not designed for reverse operation货号：V00027；裸片尺寸：0.87毫米X 0.87毫米281孔；建议较大峰值功率连续波，100%直流：2W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：6W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：13W