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工作电流
Operating Current（mA）
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工作电压
Operating Voltage（V）
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输出功率
Output Power（mW）
确定 取消 -
阈值电流
Threshold Current（mA）
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波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
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V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）
厂家：Vixar Inc.
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APA4501040001 波长为840nm、850nm、860nm激光二极管
厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH
光电查为您提供7071个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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中心波长: 0.830um 输出功率: 100mWFIDL-100M-830X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 0.945um 输出功率: 100mWFIDL-100M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 0.980um 输出功率: 100mWFIDL-100M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.060um 输出功率: 100mWFIDL-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-1060X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。
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中心波长: 1.064um 输出功率: 100mWFIDL-100S-1064X是InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-1064X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 0.830um 输出功率: 100mWFIDL-100S-830X是由MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-830X是一种连续单模注入半导体激光器，内置监测光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 0.840um 输出功率: 100mWFIDL-100S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-840X是连续单模注入。半导体激光二极管与内置监测光电二极管，以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 0.850um 输出功率: 100mWFIDL-100S-850D-60是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-850D-60是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。它工作在-60ºC+60°C的宽温度范围内。激光二极管适用于军事、空间、恶劣工业应用中的各种光电系统。
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中心波长: 0.850um 输出功率: 100mWFIDL-100S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于军事、空间、苛刻工业应用中的各种光电系统。
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中心波长: 0.860um 输出功率: 100mWFIDL-100S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-860X是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 0.950um 输出功率: 100mWFIDL-100S-950X是950nm InGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 0.980um 输出功率: 100mWFIDL-100S-980X是InGaAs/GaAs单量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-980X是CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.064um 输出功率: 10mWFIDL-10S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.064um 输出功率: 10mWFIDL-10S-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.070um 输出功率: 10mWFIDL-10S-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-1070X是一款CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 0.680um 输出功率: 10mWFIDL-10S-680A是基于GaInAlP的680nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-680A是连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。
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中心波长: 0.730um 输出功率: 10mWFIDL-10S-730X是730nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-730X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许使用激光二极管光谱设备以及各种光电系统。
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中心波长: 0.740um 输出功率: 10mWFIDL-10S-740X是740nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-740X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。
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中心波长: 0.750um 输出功率: 10mWFIDL-10S-750X是750nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-750X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。
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中心波长: 0.800um 输出功率: 10mWFIDL-10S-800X是800nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-800X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。