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光电查为您提供7247个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • SPL BY81-15-34-00C 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 808nm 类型: 巴条(裸片) 工作模式: QCW 电源转换效率: 60% 发射器数量: 34

    80%填充系数,808 nm,500 W(QCW) 同时提供980nm/现货/如有需要请咨询联系我们.

  • V00140 895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 894.6 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.78 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00140,是波长为895nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.3mW,阈值电流为0.61mA,正向电流为1.4mA,线宽≤100MHz,调制带宽≥4.6GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。

  • CM96A1060CWG 半导体激光器
    波长: 1060 nm 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: G08型弯曲波导(CWG) 工作模式: CW/脉冲 输出功率(脉冲): 1000 mW

    II-VI CM96A1060CWG 波长稳定的高功率单模激光二极管模块包含G08型弯曲波导(CWG)1060 nm激光二极管。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许非常高的输出功率,并且随时间和温度稳定。泵模块采用保持偏振的光纤尾纤和光纤布拉格光栅设计,以增强波长和功率稳定性性能。器件可实现1W的高无扭结输出功率。

  • CM97-750-76PM 半导体激光器
    波长: 976 nm 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅(FBG) 光谱半高宽(FWHM): 0.2 nm 阈值电流: 60-80mA

    来自II-VI Incorporated的CM97-750-76PM波长为976±1nm,被设计为掺铒光纤放大器(EDFA)应用的泵浦源。CM97-750-76PM泵浦模块采用光纤布拉格光栅(FBG)设计,以增强波长和功率稳定性。该产品的设计可确保优于驱动电流和外壳温度的波长锁定。可提供750mW的无扭结输出功率,可应用于光纤激光器,传感技术,EDFA。有关CM97-750-76PM的更多详细信息,请联系我们。

  • CMDFB1064B 半导体激光器
    波长: 1063.5 nm 类型: CW/脉冲 技术: 分布式反馈(DFB) 输出功率(脉冲): 800 mW 输出功率: 200 mW

    II-VI CMDFB1064B下一代波长稳定高功率单频单模激光模块被设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。位于激光腔中的分布式反馈光栅(DFB)可在几次往返行程内实现波长稳定。激光芯片和封装针对亚纳秒级脉冲操作进行了优化。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许高峰值输出功率,这些功率在时间和温度下都非常稳定。

  • SPL EN91-40-8-10B 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 910 nm 芯片技术: 可切割的8个单管组成的单片线性阵列巴条 工作电流: 10.8A 阈值电流: 0.54A 发射器数量: 8

    单管芯片(未切割的巴条) ,发射器宽度100μm,910nm;现货库存,请联系客服咨询。推荐用于连续波(cw)-应用,光纤激光泵浦,直接材料加工,医疗应用,打印应用.

  • PLPCOS 450E 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 447 nm 激光颜色: 蓝光 光束散度平行: 9 Degrees 光束散度垂直: 49 Degrees 工作电流: 最大4A

    来自OSRAM的PLPCOS 450E,是波长为447nm的具有CoS封装的蓝光激光二极管。输出功率为5W,光束发散角(1/e²)为9°(平行)和49°(垂直)。它的阈值电流为0.29A(最大0.45A),最大工作电流为4A。该激光二极管非常适合激光材料加工,家用投影,专业投影,舞台灯光应用。

  • SPL BF98-40-5-01B 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    类型: 半导体激光巴条芯片(裸片) 芯片技术: MOVPE生长量子阱结构 光束散度平行: 6.4 Degrees 光束散度垂直: 40 Degrees 电源转换效率: 65%

    来自OSRAM的SPL BF98-40-5-01B,是波长为980nm的半导体激光巴条芯片(裸片)。单片线性激光阵列由5个单管组成,峰值输出功率为40W,光束发散角为6.4°(平行)和40°(垂直)。它的阈值电流为2.7A(最大3.1A),转换效率为65%,正向电流为41A,可应用于激光材料加工。

  • 蓝光高功率半导体激光器 E-Lyrae系列,450 nm高功率激光模块 半导体激光器
    美国
    中心波长: 450 um 输出功率: 30000 mW

    E-Lyrae系列:450 nm高功率激光模块,基于关于E-Lyrae系列多发射器模块技术,针对蓝光激光器芯片特性进行优化,由电子控制系统集成。内置驱动器,另外一款没有。这两种产品皆有。

  • TTO-007-760-A 半导体激光器
    波长: 760 nm 类型: 自由空间VCSEL 正向电压: 2 V 芯片技术: VCSEL 技术: 单模锁偏窄线宽VCSEL

    来自TRUMPF的TTO-007-760-A,是波长为760nm具有TO5封装的单模锁偏窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.3mW,阈值电流为0.5-1mA,工作电流为1-2mA,线宽为100MHz。该产品集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电(ESD),锁偏功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。TO封装将电子器件密封在外壳内部,即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。该产品集成有TEC的TO外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。该产品非常适用于氧气传感技术。

  • 795S-0000-x002 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 类型: 自由空间VCSEL 芯片技术: VCSEL 技术: 单模窄线宽VCSEL 应用行业: 位置传感,运动控制,医疗设备,打印,测量和光谱传感(例如原子钟)

    来自Vixar的795S-0000-x002,是波长为795nm具有TO-46封装的单模窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.06-0.17mW@85℃,0.1-0.25mW@25℃,0.04-0.16mW@95℃,阈值电流为0.6-0.9mA,线宽≤100MHz,调制带宽≥4GHz,符合行业标准PLCC4 SMT封装或行业标准PLCC2 SMT封装。可应用于位置传感、运动控制、医疗设备、印刷、测量和光谱传感(如原子钟)。该产品是专为低功耗、偏振和光谱稳定性而设计。

  • Lyrae series 半导体激光器
    美国
    波长: 450 nm 纤芯直径: 114μm

    E-Lyrae系列:450 nm高功率激光模块,输出功率有30W,60W和80W三种,基于关于E-Lyrae系列多发射器模块技术,针对蓝光激光器芯片特性进行优化,由电子控制系统集成。内置驱动器,另外一款没有。这两种产品皆有。

  • 1064LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm

    1064nm蝶形激光二极管。高达700 MW CW.兼容Option-1(光纤连接器)、Option-2(3 mm光束准直器)和Option-6(带FBG的窄发射光谱)

  • 1064LD-1-1-1 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg

    开放式CW驱动器,配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。单模光纤输出高达700 MW的CW光功率。与Option-2(3 mm光束准直器)和Option-6(带FBG的窄光谱)兼容。

  • 1064LD-1-2-1 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg

    开放式脉冲和连续波驱动器,配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。高达400 MW的连续波光功率和700 MW的脉冲功率;脉冲持续时间低至1.5ns;脉冲重复频率高达4 MHz.与选件2(3 mm光束准直器)、选件3(250 MHz版本)和选件6(带布拉格光栅的窄发射光谱)兼容。

  • 1064LD-1-3-1 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg

    开放式脉冲和连续波驱动器,配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。高达400 MW连续波光功率和1500 MW脉冲功率;脉冲持续时间低至1.5ns;脉冲重复频率高达10 MHz.与Option-2(3 mm光束准直器)和Option-3(250 MHz版本)兼容。

  • 1064LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: DFB

    1064nm DFB激光二极管。高达200毫瓦连续波,500毫瓦脉冲;CW中的~200 kHz发射带宽。与Option-1(光纤连接器)和Option-2(3 mm光束准直器)兼容。注:这些二极管不适用于CW模式中的模式跳变是临界点的应用。

  • 1064LD-2-LN-1 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: DFB

    开放式超低噪声CW驱动器,配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。单频应用需要低噪声驱动器。单模光纤输出高达200 MW的连续波光功率。与Option-2(3mm光束准直器)兼容。注:这些二极管不适用于CW模式中的模式跳变是临界点的应用。

  • 1064LD-3-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: Ultra Broad FBG

    具有布拉格光栅和宽发射带宽(>2nm)的1064nm蝶形激光二极管。平均功率500兆瓦;峰值功率>1800 MW;选项1(光纤连接器)和选项2(3毫米光束准直器)。

  • 1064LD-4-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: Multimode

    高功率激光二极管在105/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)的1064 nm波长下发射高达9 W的功率,并配有SMA905光学连接器。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。