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工作电流
Operating Current（mA）
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工作电压
Operating Voltage（V）
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输出功率
Output Power（mW）
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阈值电流
Threshold Current（mA）
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波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
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V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）
厂家：Vixar Inc.
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APA4501040001 波长为840nm、850nm、860nm激光二极管
厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH
光电查为您提供7071个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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波长: 1550 nmBandwidth10的BW10-1550-TO是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜，可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺，为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于波长稳定，采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps，典型的调谐范围为10纳米。该TO可用于通过C-和L-波段的几个波段。
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波长: 1060 nmBandwidth10的1060nm可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜，可以实现晶圆级的低成本制造工艺，并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于温度和波长稳定，采用7针TOSA封装，并永久连接光纤。辫子式TOSA可使用FC/APC连接器。它提供了超过200kHz的快速波长调谐，调谐范围高达50nm。
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波长: 1654 nmBandwidth10的1654纳米可调谐VCSEL TO-can是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模式1654纳米VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜，可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺，并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于温度和波长稳定，采用7引脚开盖封装。它提供了超过200kHz的快速波长调谐，调谐范围为4nm。
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波长: 1260-1288 nm 储存温度: -40-85 Degree C 正向电压: null-2 V 斜率效率: 0.15 mW/mA 输出功率: 5-12 mWEblana Photonics EP1278 - DM - B激光二极管是专门为检测氟化氢而设计的，波长范围为1260 ~ 1288nm。Eblana的离散模式( Discrete Mode，DM )技术具有无跳模的可调性和出色的SMSR，具有成本效益。
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波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片（裸片） 正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟，磁力计
来自Vixar的V00145，是波长为795nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.13mW，线宽≤100MHz，调制带宽≥3.4GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。
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波长: 759.9-761.9 nm 工作温度: 10-50 Degree C 正向电压: 1.5 V 输出功率: 2-6 mW 正向电流（PD）: 120 mA可调谐 760 nm DFB 激光器，带密封 14 引脚蝶形外壳（符合 RoHS 标准），包括监控二极管、热电冷却器和热敏电阻，带保偏光纤、集成μ隔离器和倾斜物理接触
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波长: 973-975 nm 工作电压: 1.7-2 V 正向电流（PD）: 50-70 mA 阈值电流: 50-70mA 工作前向电压: 1.7-2.0VCM96Z***-7* 系列泵浦模块采用光纤布拉格光栅设计，可增强波长和功率稳定性性能。该产品旨在确保在驱动电流、温度和光反馈变化。
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中心波长: 790-792nm 功率: 25-150W 谱宽: 5nm 95% 功率: 0.15-0.2NA 温漂系数: 0.3nm/℃7xxnm系列-光纤输出半导体激光器（FiberCoupled 7xxnm Laser Diode Module）为光纤耦合输出的半导体激光器，其紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量以及高功率密度等特性，赋予了它独特的优势。同时，高电光效率、稳定性能和长寿命更是使它在各种应用场景中脱颖而出。
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中心波长: 808-888nm 功率: 25-175W 谱宽: 1-5nm NA 95%功率时: 0.15-0.2NA 温漂系数: 0.015-0.3nm/℃8xxnm系列-光纤输出半导体激光器为光纤耦合输出的半导体激光器，具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特点，提供稳定的性能和长寿命。
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波长: 790-792nm 功率: 25-150W 谱宽: 5nm 功率 NA: 0.15-0.22 温度系数: 0.3nm/℃7xxnm系列-光纤输出半导体激光器为光纤耦合输出的半导体激光器，具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量及高功率密度等特性，具有高电光效率、稳定性能和长寿命，在多种应用场景中表现出色。
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中心波长: 915-976nm 功率: 200-700W, 260-510W 谱宽: 1-5nm 95%功率: 0.18-0.2 温漂系数: 0.02-0.3nm/℃9xx系列光纤输出半导体激光器具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特性，性能稳定，宽温环境适应，适用于光纤激光器泵浦、工业加工、机器视觉以及光电检测等领域。
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中心波长: 790-792nm 功率: 25-150W 谱宽: 5nm 95%功率数值孔径: 0.15-0.22 温度系数: 0.3nm/℃7xxnm系列-光纤输出半导体激光器（Fiber Coupled 7xxnm Laser Diode Module）具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量以及高功率密度等特性，提供高电光效率、稳定性能和长寿命，适用于中红外激光泵浦、光电检测、激光干扰以及生物医疗等领域。
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中心波长: 808-888nm 功率: 175 谱宽: 1-5nm NA95%功率: 0.15-0.2NA 温漂系数: 0.015-0.3nm/℃8xxnm系列光纤输出半导体激光器（Fiber Coupled 8xxnm Diode Module）以其紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特点具有显著优势。此外，该激光器还具有稳定的性能和长寿命，适用于多种应用领域。
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波长: 1550±20nm 脉冲宽度(FWHM): 200-500（可调）ns 脉冲能量: 5-10uJ 重复频率: ≤5kHz 峰值功率: 15-30W波长1550nm的脉冲单管半导体激光器是使用半导体材料作为工作物质的激光器，单个芯片封装，以脉冲模式工作，输出波长属于人眼安全波段，可广泛用于工业、医疗、通信等行业。
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激光波长: 1.57um 激光平均能量: 6-10mJ 激光脉冲宽度: 3-5ns 频率范围: 20Hz-定制 光束发散角: 8-10mrad1.57μm全固态激光器采用OPO技术，对人眼损伤阈值高，适用于远距离测距，对多种目标的背景反差大，适合激光雷达和目标识别等应用。采用被动调Q技术，体积小，结构紧凑，适合军工激光测距、照射和雷达等领域。
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峰值功率: 7200W-10800W 中心波长: 808nm 中心波长范围: ±2nm 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 快轴发散角(FWHM): 36°该激光器是多边形形式封装的准连续半导体激光器（QCW Laser Diode Shaped G-Stack），作为泵浦源使用，具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。适用于测泵浦，是固体激光器系统的重要组成部分。
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激光波长: 1.06±0.01um 激光平均能量: ≥20mJ/≥40mJ/≥60mJ/≥80mJ/≥100mJ/≥150mJ/≥200mJ 激光脉冲宽度: 15±5ns 频率范围: 5~20Hz 光斑圆度: >80%国产化1.57μm全固态激光器，采用激光二极管泵浦技术，具有长达20亿次的使用寿命，高精度电光调Q，支持多变频模块选择，体积小巧，便于系统集成。提供能量输出和发散角的定制服务。
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中心波长: 808±2nm 泵浦峰值功率: 800W/1000W/1600W/2000W 脉冲宽度: 250μs 占空比: 25%/3% 巴条数: 16/20环形准连续半导体激光器叠阵(Annular QCW Laser Diode Stack)属于高功率固体激光器领域，适用于棒状增益介质。由环形半导体激光阵列和热沉组成，多个半导体激光阵列组成一个完整的圆形泵浦腔，该泵浦方法可以显著提高泵浦密度和泵浦均匀性。
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波长: 1535nm 脉冲宽度(FWHM): 3-6ns 脉冲能量: 200-400uJ 峰值功率: 50-80kw 能量稳定性: ≤5%铒玻璃激光器（Er Glass Laser），是以铒为激活离子，以镱为敏化剂的激光玻璃作工作物质的激光器；其输出波长1535nm。本产品定位为自主、可控、国产化核心器件，具有可靠性高、全温度范围工作、测量距离远等优点。
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峰值功率: 7200W-10800W 中心波长: 808nm 波长范围: ±2nm 光谱宽度(FWHM): 4nm 快轴发散角(FWHM): 2°该激光器是带有快轴准直和防尘窗口的准连续半导体激光器(FAC QCW Laser Diode G-Stack)，作为泵浦源使用，具有结构紧凑、光斑集中、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。