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工作电流
Operating Current（mA）
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工作电压
Operating Voltage（V）
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输出功率
Output Power（mW）
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阈值电流
Threshold Current（mA）
确定 取消 -
波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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DFB-1310C-PM 激光器
厂家：Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家：Optilab
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
光电查为您提供7267个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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波长: 850 nm 操作/焊接温度: min. -40°C, max. 105°C 储存温度: min. -40°C, max. 120°C 正向电流: max. 130A 供电电压: max. 9VVIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间（TOF）应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上，以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。
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波长: 940 nm 操作/焊接温度: -40°C to 105°C 储存温度: -40°C to 120°C 正向电流: 130A 供电电压: 10VVIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间（TOF）应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上，以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。
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波长: 795 nm 光功率: 0 W 储存温度: -40 to 125°C 操作温度(VCSEL): 0 to 95°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds单横模、795nm VCSEL，TO-46封装
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波长: 894.6 nm 类型: VCSEL芯片（裸片） 正向电压: 1.78 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟，磁力计来自Vixar的V00140，是波长为895nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.3mW，阈值电流为0.61mA，正向电流为1.4mA，线宽≤100MHz，调制带宽≥4.6GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。
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波长: 795 nm 类型: 自由空间VCSEL 芯片技术: VCSEL 技术: 单模窄线宽VCSEL 应用行业: 位置传感，运动控制，医疗设备，打印，测量和光谱传感（例如原子钟）来自Vixar的795S-0000-x002，是波长为795nm具有TO-46封装的单模窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.06-0.17mW@85℃，0.1-0.25mW@25℃，0.04-0.16mW@95℃，阈值电流为0.6-0.9mA，线宽≤100MHz，调制带宽≥4GHz，符合行业标准PLCC4 SMT封装或行业标准PLCC2 SMT封装。可应用于位置传感、运动控制、医疗设备、印刷、测量和光谱传感（如原子钟）。该产品是专为低功耗、偏振和光谱稳定性而设计。
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波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片（裸片） 正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟，磁力计来自Vixar的V00145，是波长为795nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.13mW，线宽≤100MHz，调制带宽≥3.4GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。
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波长: 0 nm 光功率: 0 W单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳，方便使用激光二极管，适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试，集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电（ESD）。 单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。 集成有 TEC 的 TO 外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。这里可以精确地调节激光温度。
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波长: 0 nm 光功率: 0 W单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳，方便使用激光二极管，适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试，集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电（ESD）。 单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。 集成有 TEC 的 TO 外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。这里可以精确地调节激光温度。
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波长: 0 nm 光功率: 0 W单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳，方便使用激光二极管，适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试，集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电（ESD）。 单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。
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波长: 760 nm 类型: 自由空间VCSEL 正向电压: 2 V 芯片技术: VCSEL 技术: 单模锁偏窄线宽VCSEL来自TRUMPF的TTO-007-760-A，是波长为760nm具有TO5封装的单模锁偏窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.3mW，阈值电流为0.5-1mA，工作电流为1-2mA，线宽为100MHz。该产品集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电（ESD），锁偏功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。TO封装将电子器件密封在外壳内部，即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。该产品集成有TEC的TO外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。该产品非常适用于氧气传感技术。
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波长: 785nm 线宽: 0.1nm 功率: 500mW 电源稳定性: ±0.005% over 2.5 hours 工作温度: 25°CII-VI Incorporated的RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A是一款激光器，波长为784.5 nm、785 nm、785.5 nm，功率为500 MW，工作温度为-20至50摄氏度（外壳），存储温度为-20至70摄氏度。有关RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A的更多详细信息，请联系我们。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.4 to 2.2 mW 工作电压: 1.9 to 2.1 V 阈值电流: 0.8 to 1.1 mA来自II-VI Incorporated的APA4301010002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.4至2.2mW，工作电压为1.9至2.1V，阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301010002的更多详细信息，请联系我们。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.4 to 2.2 mW 工作电压: 1.9 to 2.1 V 阈值电流: 0.8 to 1.1 mA来自II-VI Incorporated的APA4301040002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.4至2.2mW，工作电压为1.9至2.1V，阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301040002的更多详细信息，请联系我们。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.4 to 2.2 mW 工作电压: 1.9 to 2.1 V 阈值电流: 0.8 to 1.1 mA来自II-VI Incorporated的APA4301120002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.4至2.2mW，工作电压为1.9至2.1V，阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301120002的更多详细信息，请联系我们。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.3 to 2.2 mW 工作电压: 2.2 V 阈值电流: 0.3 to 1.3 mA来自II-VI Incorporated的APA4401010001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.3至2.2mW，工作电压为2.2V，阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401010001的更多详细信息，请联系我们。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.3 to 2.2 mW 工作电压: 2.2 V 阈值电流: 0.3 to 1.3 mA来自II-VI Incorporated的APA4401040001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.3至2.2mW，工作电压为2.2V，阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401040001的更多详细信息，请联系我们。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.3 to 2.2 mW 工作电压: 2.2 V 阈值电流: 0.3 to 1.3 mA来自II-VI Incorporated的APA4401120001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.3至2.2mW，工作电压为2.2V，阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401120001的更多详细信息，请联系我们。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA来自II-VI Incorporated的APA4501010001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501010001的更多详细信息，请联系我们。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA来自II-VI Incorporated的APA4501010002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501010002的更多详细信息，请联系我们。
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波长: 840-860 nm RoHS: Yes 类型: VCSEL芯片 芯片技术: VCSEL 工作模式: CW Laser来自II-VI Incorporated的APA4501040001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501040001的更多详细信息，请联系我们。