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  • RIO PLANEX™ 1064nm窄线宽外腔激光器(20mW)。 半导体激光器
    中心波长: 1.064um 输出功率: 20mW

    RIO019x-X-XX-X器件是高性能、高性价比的外腔激光器(ECL)。该设计基于Rio的专有平面技术(Planex™),由增益芯片和平面光波电路组成,包括具有布拉格光栅的波导,形成具有显著优势的激光腔。Planex™激光器将可与长腔光纤激光器相媲美的高性能与半导体激光器的低成本、简单性、小尺寸和可靠性相结合。Planex™激光器是高功率光纤和固态激光器、二次谐波产生和光学参量振荡器、光谱学和其他工业和科学应用、相干多普勒激光雷达、计量和光学传感的理想光源。激光器可提供各种波长和输出功率选项。

  • RIO PLANEX™系列1550nm低相位噪声窄线宽外腔激光器(10mw) 半导体激光器
    中心波长: 1.550um 输出功率: 10mW 中心波长: 1530 - 1565 nm

    RIO019x系列器件是高性能、高成本效益的外腔激光器(ECL)。该设计基于Rio的专有平面技术(Planex™),由增益芯片和平面光波电路组成,包括具有布拉格光栅的波导,形成具有显著优势的激光腔。Planex™激光器将可与长腔光纤激光器相媲美的高性能与半导体激光器的低成本、简单性、小尺寸和可靠性相结合。Planex™激光器是多种商用和军用光纤传感器应用的理想光源,包括用于石油和天然气、安全和智能基础设施监控的干涉测量和布里渊DTSS系统、用于风力测量的相干多普勒激光雷达、相干和外差计量、光子测速和振动测量以及相干通信。激光器可提供各种波长、相位噪声和输出功率选项。

  • RIO PLANEX™系列1550nm低相位噪声窄线宽外腔激光器(20mw) 半导体激光器
    中心波长: 1.550um 输出功率: 20mW 中心波长: 1530 - 1565 nm

    RIO019x系列器件是高性能、高性价比的外腔激光器(ECL)。该设计基于Rio的专有平面技术(Planex™),由增益芯片和平面光波电路组成,包括具有布拉格光栅的波导,形成具有显著优势的激光腔。Planex™激光器将可与长腔光纤激光器相媲美的高性能与半导体激光器的低成本、简单性、小尺寸和可靠性相结合。Planex™激光器是多种商用和军用光纤传感器应用的理想光源,包括用于石油和天然气、安全和智能基础设施监控的干涉测量和布里渊DTSS系统、用于风力测量的相干多普勒激光雷达、相干和外差计量、光子测速和振动测量以及相干通信。激光器提供各种波长、相位噪声和输出功率选项。

  • 1064纳米RIO PLANEX 半导体激光器
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1062 to 1066 nm 输出功率: 0.01 W 工作电流: 0.14 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    Rio公司的Rio Planex是一种外腔激光器,工作波长为1064nm.该单频激光器可提供高达10 MW的输出功率,并具有低于50 dB的出色单模抑制比(SMSR)。该激光器具有极低的RIN(-135 dB/Hz)、低相位噪声和窄线宽(15 kHz)。Rio Planex采用14引脚蝶形封装,提供SMF和PM尾纤选择。它适用于光纤和固态激光器、二次谐波产生(SHG)、光学参量振荡器(OPO)、激光光谱学、激光雷达和其他精密计量应用。

  • PLANEX 1550纳米激光二极管 半导体激光器
    应用行业: Communications, Defense and Security, Oil & Gas 技术: External Cavity Lasers 工作模式: CW / Pulsed 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 30 mW

    来自Redfern Integrated Optics的Planex 1550 nm激光二极管是一种窄线宽外腔激光二极管,工作波长为1530至1565 nm.它提供30 MW的输出功率,并提供超过40 dB的光隔离。激光二极管具有小于1kHz的窄线宽,并且对振动和声学噪声不敏感。它由增益芯片和包含布拉格光栅的平面光波电路(PLC)组成。激光二极管是声学和地震传感、国防和安全、石油和天然气勘探和生产、激光雷达和遥感、干涉光纤传感、计量、射频和微波光子学以及相干通信应用的理想选择。

  • PLANEXTM 半导体激光器
    应用行业: Metrology, Infrastructure, Security, Wind, Oil & Gas 技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 工作模式: CW Laser 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 20 mW

    Redfern Integrated Optics的Planex™是一款中心波长为1530至1565 nm的光纤耦合外腔激光器(ECL)。它提供高达20 MW的功率,并具有40 dB的光隔离。单频激光器支持CW、调制和脉冲操作,并且具有30pm的波长调谐范围和从DC到200kHz的调制带宽。该激光器具有低相位噪声和小于1kHz的窄线宽。它具有集成增益芯片和包括布拉格光栅的平面光波电路(PLC)。该激光器适用于遥感、分布式温度、应变或声学光纤监测、高分辨率光谱学、激光雷达和精密计量应用。

  • RLD2BPND1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 660 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 0.023 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPND1是波长为660nm,输出功率为0.02W,工作电压为2.2V,工作电流为0.023A,阈值电流为13mA的激光二极管。有关RLD2BPND1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2BPNK2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 787 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.029 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK2是一种波长为787nm、输出功率为0.02W、工作电压为1.8V、工作电流为0.029A、阈值电流为12mA的激光二极管。有关RLD2BPNK2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2BPNK4 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK4是一种波长为792nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.03A、阈值电流为10mA的激光二极管。有关RLD2BPNK4的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2BPNK5 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 787 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.023 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK5是一种波长为787nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.023A、阈值电流为12mA的激光二极管。有关RLD2BPNK5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMFL3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 685 to 782 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.2 V 工作电流: 0.017 to 0.018 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMFL3是波长为685至782nm的激光二极管,输出功率为0.01W,工作电压为1.8至2.2V,工作电流为0.017至0.018A,阈值电流为12至13mA.有关RLD2WMFL3的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMFR1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 658 to 790 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.9 to 2.3 V 工作电流: 0.045 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMFR1是波长为658至790 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为1.9至2.3 V、工作电流为0.045 A、阈值电流为30至35 mA的激光二极管。有关RLD2WMFR1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMFV2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 658 to 782 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.027 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMFV2是波长为658至782nm的激光二极管,输出功率为0.01W,工作电压为1.8至2.3V,工作电流为0.027A,阈值电流为18至20mA.有关RLD2WMFv2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMNL2-00x 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 658 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.018 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2-00X是波长为658至668 nm的激光二极管,输出功率为0至0.007 W,工作电压为2.3至2.8 V,工作电流为0.018至0.035 A,阈值电流为18至35 mA.有关RLD2WMNL2-00x的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMNL2-01x 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 658 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.018 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2-01X是波长为658至668nm的激光二极管,输出功率为0至0.007W,工作电压为2.3至2.8V,工作电流为0.018至0.035A,阈值电流为18至35mA.有关RLD2WMNL2-01x的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2WMNL2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 663 to 785 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.024 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2是波长为663至785nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8至2.3V、工作电流为0.02至0.024A、阈值电流为15至18mA的激光二极管。有关RLD2WMNL2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD4BPMP1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP1是一种波长为792nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.03A、阈值电流为10mA的激光二极管。有关RLD4BPMP1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD4BPMP2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 0.025 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP2是一种波长为792nm的激光二极管,输出功率为0.02W,工作电压为1.7V,工作电流为0.025A,阈值电流为14mA.有关RLD4BPMP2的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD63NPC5 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 645 nm 输出功率: 0 to 0.006 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V 工作电流: 0.024 to 0.035 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD63NPC5是波长为630至645nm的激光二极管,输出功率为0至0.006W,工作电压为2.2至2.7V,工作电流为0.02 4至0.035A,阈值电流为24至35mA.有关RLD63NPC5的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD63NZC5 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 645 nm 输出功率: 0 to 0.006 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V 工作电流: 0.024 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD63NZC5是波长为630至645nm的激光二极管,输出功率为0至0.006W,工作电压为2.2至2.7V,工作电流为0.02 4至0.035A,阈值电流为24至35mA.有关RLD63NZC5的更多详细信息,请联系我们。