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  • C-stack-808-nm 半导体激光器
    西班牙
    厂商:Monocrom
    巴条配置: Vertical Stack 波长: 780 to 830 nm 输出功率: 20 to 200 W 工作电流: 20 to 450 A 阈值电流: 4 to 30 A

    来自MonoCrom的C-Stack-808-nm是波长为780至830 nm、输出功率为20至200 W、输出功率为20至200 W、工作电流为20至450 A的激光二极管。C-Stack-808-nm的更多细节可参见下文。

  • C-stack-915-nm 半导体激光器
    西班牙
    厂商:Monocrom
    巴条配置: Vertical Stack 波长: 910 to 920 nm 输出功率: 40 to 150 W 工作电流: 40 to 150 A 阈值电流: 4 to 20 A

    来自MonoCrom的C-Stack-915-nm是波长为910至920 nm的激光二极管,输出功率为40至150 W,输出功率为40至150 W,工作电流为40至150A.C-Stack-915-nm的更多详情见下文。

  • C-stack-940-nm 半导体激光器
    西班牙
    厂商:Monocrom
    巴条配置: Vertical Stack 波长: 930 to 940 nm 输出功率: 60 to 400 W 工作电流: 60 to 370 A 阈值电流: 5 to 26 A

    来自MonoCrom的C-Stack-940-nm是波长为930至940 nm、输出功率为60至400 W、输出功率为60至400 W、工作电流为60至370 A的激光二极管。C-Stack-940-nm的更多详情见下文。

  • CS安装1060纳米 半导体激光器
    西班牙
    厂商:Monocrom
    巴条配置: Vertical Stack 波长: 1040 to 1080 nm 输出功率: 40 to 200 W 工作电流: 45 to 230 A 阈值电流: 5 to 23 A

    来自MonoCrom的CS Mount 1060 nm是波长为1040至1080 nm、输出功率为40至200 W、输出功率为40至200 W、工作电流为45至230 A的激光二极管。CS Mount 1060 nm的更多细节可参见下文。

  • CS-mount-808-nm 半导体激光器
    西班牙
    厂商:Monocrom
    巴条配置: Vertical Stack 波长: 780 to 830 nm 输出功率: 20 to 500 W 工作电流: 20 to 450 A 阈值电流: 7 to 30 A

    来自MonoCrom的CS-Mount-808-nm是波长为780至830 nm、输出功率为20至500 W、输出功率为20至500 W、工作电流为20至450 A的激光二极管。CS-Mount-808-nm的更多详情见下文。

  • CS-mount-915-nm 半导体激光器
    西班牙
    厂商:Monocrom
    巴条配置: Vertical Stack 波长: 910 to 920 nm 输出功率: 40 to 250 W 工作电流: 40 to 280 A 阈值电流: 4 to 27 A

    来自MonoCrom的CS-Mount-915-nm是一种激光二极管,波长为910至920 nm,输出功率为40至250 W,输出功率为40至250 W,工作电流为40至280 A.CS-Mount-915-nm的更多详情见下文。

  • CS-mount-940-nm 半导体激光器
    西班牙
    厂商:Monocrom
    巴条配置: Vertical Stack 波长: 930 to 940 nm 输出功率: 50 to 400 W 工作电流: 50 to 370 A 阈值电流: 5 to 28 A

    来自MonoCrom的CS-Mount-940-nm是波长为930至940 nm的激光二极管,输出功率50至400 W,输出功率50至400 W,工作电流50至370 A.CS-Mount-940-nm的更多详情见下文。

  • 1310纳米法布里-珀罗激光器 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1310 nm 输出功率: 0.0005 to 0.002 W 阈值电流: 6 to 15 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1310nm Fabry-Perot激光器是波长为1310nm、输出功率为0.0005至0.002W、阈值电流为6至15mA、输出功率(CW)为0.0005至0.002W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • 1330系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1310 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 30 mA

    OSI Laser Diode,Inc.的1330系列是一款激光二极管,波长为1310 nm,输出功率为0.18 W,工作电压为1.2至1.6 V,阈值电流为30 mA,输出功率(CW)为0.18 W.1330系列的更多详情见下文。

  • 1530系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 35 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1530系列是波长为1550 nm、输出功率为0.18 W、工作电压为1.2至1.6 V、阈值电流为35 mA、输出功率(CW)为0.18 W的激光二极管。

  • 1550纳米法布里-珀罗激光器 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 0.0005 to 0.002 W 阈值电流: 10 to 14 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1550nm Fabry-Perot激光器是波长为1550nm、输出功率为0.0005至0.002W、阈值电流为10至14mA、输出功率(CW)为0.0005至0.002W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • 1630系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1625 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1630系列是波长为1625 nm、输出功率为0.18 W、工作电压为1.2至1.6 V、阈值电流为45 mA、输出功率(CW)为0.18 W的激光二极管。

  • SCW 1650系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1650 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    OSI Laser Diode的SCW1650系列是SMF耦合激光模块,旨在满足光学测试设备市场的性能需求。它们在1640至1665 nm范围内工作时提供超过180 MW的光功率。这些模块采用全密封激光焊接封装,是OTDR仪器、光谱学和光子计数应用的理想选择。这些封装的激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。

  • CVB 450-TO56R 半导体激光器
    美国
    芯片技术: GaN 工作模式: Pulsed Laser 波长: 450 nm 输出功率: 0 to 2 W 工作电压: 6 V

    来自OSI Laser Diode的CVB 450-TO56R是一个激光二极管模块,是一个以3针同轴格式封装的450 nm GaN激光二极管。激光二极管与200/230/500um光纤尾纤光学耦合。该装置包括ESD保护二极管。CVB 450-TO56R激光二极管模块专为需要脉冲光功率的非制冷光学计量应用而设计。它符合RoHS标准。

  • CVD 163 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 35 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 163是波长为905nm、输出功率为35W、输出功率(CW)为35W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 165 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 60 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 165是波长为905nm、输出功率为60W、输出功率(CW)为60W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 167 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 100 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 167是波长为905nm、输出功率为100W、输出功率(CW)为100W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 193 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 40 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 193是波长为850nm、输出功率为40W、输出功率(CW)为40W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 195 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 10 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 195是波长为850nm、输出功率为10W、输出功率(CW)为10W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 197 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 20 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 197是波长为850nm、输出功率为20W、输出功率(CW)为20W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。