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  • 940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00063;裸片尺寸:1.26mm X 1.26mm 770孔径;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:11W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:76W

  • 680纳米VCSEL - PLCC封装 V00013 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 680 nm 操作/焊接温度: -20°C to 50°C 储存温度: -40°C to 125°C 正向电流: 3mA max 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00013;波长:680;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:1.5mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:3mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:-

  • 680纳米VCSEL - PLCC封装 V00002 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 680 nm 光功率: 5.5 W 操作/焊接温度: -20°C - 50°C 储存温度: -40°C - 125°C 正向电流: max. 10mA

    货号:V00002;波长:680;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:7mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:15mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:-

  • 850纳米VCSEL - PLCC封装 V00147 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 储存温度: -40 to 100°C 操作温度(VCSEL): -20°C to 70°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds CW电流(VCSEL): 70mA

    850nm多模3孔径VCSEL,专为需要高效光功率源的应用而设计。货号:V00147;波长:850;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:70mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:150mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:300mW

  • VCSEL评估模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850nm(V00133) / 940nm(V00132) 峰值电流: 130A 传播延迟: 1-2ns 供电电压: 7V-10V 门驱动器电源电压: 5V

    VIXAR评估模块用于产生高光功率的短激光脉冲飞行时间(TOF)和VCSEL闪光激光雷达应用。它结合了高功率VCSEL具有超快氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)、栅极驱动器和放电电容器组。该模块可以被驱动用于高速脉冲操作,并且它可以产生高峰值功率的短光脉冲。 评估模块安装了850 nm(V00133)和940 Nm(V00132)VCSEL芯片产品目前可从Vixar的标准产品组合中获得。VCSEL被驱动EPC2045 GaN开关FET能够提供高达130 A的电流脉冲。由Texas Instruments LMG1020驱动,这是一种具有传播延迟的高电流栅极驱动器1–2纳秒。有关的更多信息,请参阅相应的组件数据表。 VCSEL芯片、EPC2045 GaN FET和LMG1020栅极驱动器。驱动电路采用PCB技术构建,以改善VCSEL的散热性能。并使激光性能较大化。对于直接热,存在大热结合焊盘,从VCSEL芯片到连接的散热器的散热。驱动器电路和评估板两者都配备有电容器组,以改善到驱动器电路的电荷输送,用于更高的占空比(DC)操作。

  • 850纳米VCSEL - V00160评估模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 操作/焊接温度: min. -40°C, max. 105°C 储存温度: min. -40°C, max. 120°C 正向电流: max. 130A 供电电压: max. 9V

    VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间(TOF)应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上,以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

  • 940纳米VCSEL - V00159评估模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 操作/焊接温度: -40°C to 105°C 储存温度: -40°C to 120°C 正向电流: 130A 供电电压: 10V

    VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间(TOF)应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上,以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

  • 760nm VCSEL;TO 5 封装带TEC; 单模; 偏振锁定 半导体激光器
    波长: 0 nm 光功率: 0 W

    单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳,方便使用激光二极管,适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试,集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电(ESD)。 单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。 集成有 TEC 的 TO 外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。这里可以精确地调节激光温度。

  • 795nm VCSEL;TO46封装带TEC;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 光功率: 0 W 储存温度: -40 to 125°C 操作温度(VCSEL): 0 to 95°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

    单横模、795nm VCSEL,TO-46封装

  • 763nmVCSEL;TO 5 封装带TEC; 单模; 偏振锁定 半导体激光器
    波长: 0 nm 光功率: 0 W

    单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳,方便使用激光二极管,适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试,集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电(ESD)。 单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。 集成有 TEC 的 TO 外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。这里可以精确地调节激光温度。

  • 760nm VCSEL;TO 46封装不带TEC;单模;偏振锁定 半导体激光器
    波长: 0 nm 光功率: 0 W

    单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳,方便使用激光二极管,适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试,集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电(ESD)。 单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。

  • SPL PL90_3 905nm脉冲激光二极管,峰值功率75W 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    输出功率: 75 W 激光波长: 905 um 脉宽: 0 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    905nm;峰值功率75W;塑封封装;;脉冲激光二极管

  • SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管;单管功率:11瓦;波长:910nm;条宽:100µm 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    中心波长: 0.904-0.914 um 输出功率: 11000 mW

    单管芯片(未切割的巴条) ,发射器宽度100μm,910nm;现货库存,请联系客服咨询。

  • SOA-332 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Superlum
    波长: 785 nm

    Superlum公司的SOA-332是一种半导体光放大器,电源电压为2.5 V,饱和输出功率为13 dBm,饱和输出功率为0.02 W,信号增益为20 dB,波长为785 nm.有关SOA-332的更多详细信息,请联系我们。

  • SOA-352-830 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Superlum
    波长: 830 nm

    Superlum的SOA-352-830是一种半导体光放大器,电源电压为2.5 V,饱和输出功率为15 dBm,饱和输出功率为0.03 16 W,信号增益为25 dB,波长为830 nm.有关SOA-352-830的更多详细信息,请联系我们。

  • SOA-352-870 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Superlum
    波长: 870 nm

    Superlum公司的SOA-352-870是一种半导体光放大器,电源电压为2.5 V,饱和输出功率为13 dBm,饱和输出功率为0.02 W,信号增益为25 dB,波长为870 nm.有关SOA-352-870的更多详细信息,请联系我们。

  • SOA-372 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Superlum
    波长: 850 nm

    Superlum公司的SOA-372是一种半导体光放大器,电源电压为2.5 V,饱和输出功率为13 dBm,饱和输出功率为0.02 W,信号增益为25 dB,波长为850 nm.有关SOA-372的更多详细信息,请联系我们。

  • SOA-382-800 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Superlum
    波长: 795 nm

    Superlum公司的SOA-382-800是一种半导体光放大器,电源电压为2.5 V,饱和输出功率为13 dBm,饱和输出功率为0.02 W,信号增益为30 dB,波长为795 nm.有关SOA-382-800的更多详细信息,请联系我们。

  • SOA-382-840 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Superlum
    波长: 840 nm

    Superlum的SOA-382-840是一款半导体光放大器,电源电压为2.3 V,饱和输出功率为17 dBm,饱和输出功率为0.0501 W,信号增益为30 dB,波长为840 nm.有关SOA-382-840的更多详细信息,请联系我们。