德国半导体激光器产品目录_生产厂家

激光二极管fted-840-150s-FP

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.840um 输出功率: 150mW

FTED-840-150S-FP是一种单横模量子阱法布里-珀罗半导体激光器，在840nm处连续输出功率为150mW。它适用于各种光电应用。

激光二极管ftld-1200-05s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.200um 输出功率: 5mW

FTLD-1200-05S是用MOCVD和LPE方法制备的1200nm-1270nm的GaInAsP/InP PBC量子阱激光器。FTLD-1200-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，具有高可靠性和ESD不敏感性。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1200-10s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.200um 输出功率: 10mW

FTLD-1200-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1200nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1200-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1210-20s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.210um 输出功率: 20mW

FTLD-1210-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1210nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1210-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1215-10s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.215um 输出功率: 10mW

FTLD-1215-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1215-20s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.215um 输出功率: 20mW

FTLD-1215-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1240-10s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.240um 输出功率: 10mW

FTLD-1240-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1240nm激光二极管。FTLD-1240-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1250-05s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.250um 输出功率: 5mW

FTLD-1250-05S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1250-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1250-10s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.250um 输出功率: 10mW

FTLD-1250-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1250-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1260-20s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.260um 输出功率: 20mW

FTLD-1260-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1260nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1260-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1275-25m

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.275um 输出功率: 25mW

FTLD-1275-25M是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1275nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1275-25M是一种连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1300-05s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.300um 输出功率: 5mW

FTLD-1300-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1300-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1300-10s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.300um 输出功率: 10mW

FTLD-1300-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1300-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1345-10s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.345um 输出功率: 10mW

FTLD-1345-10S是基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1345nm激光二极管，采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1345-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1370-05s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.370um 输出功率: 5mW

FTLD-1370-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1370nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1370-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1370-10s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.370um 输出功率: 10mW

FTLD-1370-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1370nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1370-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1380-10s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.380um 输出功率: 10mW

FTLD-1380-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1380nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1380-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1390-05s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.390um 输出功率: 5mW

FTLD-1390-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1390nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1390-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1390-10s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.390um 输出功率: 10mW

FTLD-1390-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1390nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1390-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管ftld-1396-05s

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.396um 输出功率: 5mW

FTLD-1396-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1396nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1396-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。