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  VM100-880-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光（VCSEL）芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：VI Systems GmbH

  发射波长: 880 nm (范围 870 – 890 nm) 数据速率: 高达 112 Gbit/s 56 GBaud/s PAM-4 阈值电流: < 0.6 mA 峰值输出功率: 4 mW 光学带宽: 25-30 GHz

  VM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光（VCSEL）芯片作为工程样品，可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。

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  VM100-940-GSG-Cxx 基垂直腔面发射激光器（VCSEL）

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：VI Systems GmbH

  发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.5-0.6mA

  VM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合单独接触顶面。

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  VM100-910-SG-qSM-Cxx 垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：VI Systems GmbH

  发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/s

  VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

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  VM100-850-GSG-MA-SM 垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：VI Systems GmbH

  发射波长: 840-860nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

  VM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导，以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触，使用地-源-地（GSG）微探针或金属线键合。