已选
  • 德国
  • 法兰克福激光公司
参数:
  • 工作电流

    Operating Current(mA)

    确定 取消
  • 工作电压

    Operating Voltage(V)

    确定 取消
  • 输出功率

    Output Power(mW)

    确定 取消
  • 阈值电流

    Threshold Current(mA)

    确定 取消
  • 波长

    Wavelength(nm)

    确定 取消
推荐专栏
  • 专业选型
  • 正规认证
  • 品质保障
查看更多 >

光电查为您提供1091个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • Seminex多模式激光芯片1475nm 3.7W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.475um 输出功率: 3700mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1480nm 5W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.480um 输出功率: 5000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • SemiNex多模式激光芯片1488nm 7W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.488um 输出功率: 7000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。如有必要,我们将进一步优化InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1532nm 4.2W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.532um 输出功率: 4200mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1540nm 5.6W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.540um 输出功率: 5600mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1550nm 0.6W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 600mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • SemiNex多模式激光芯片1550nm 2.5W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 2500mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。如有必要,我们将进一步优化InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1550nm 4.2W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 4200mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1568nm 5.6W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.568um 输出功率: 5600mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1550nm 0.4W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 400mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1550nm 0.4W N179 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 400mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1625nm 0.3W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.625um 输出功率: 300mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1630nm 0.3W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.630um 输出功率: 300mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1630nm 0.45W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.630um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1650nm 0.45W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1650nm 0.45W N155 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • UOSE-DS-HL63163DG-R0 AlGaInP激光二极管 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.633um 输出功率: 100mW

    HL63163DGAlGaInP激光二极管。

  • 紫外激光二极管IR-RGB-V NovaLum 375nm 125mW 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.375um 输出功率: 125mW

    IR-RGB-V Novalum允许客户通过选择各种波长来创建定制的八激光模块。当与多通道NECSEL智能控制器结合使用时,该激光器可轻松集成到OEM系统中。

  • 紫外激光二极管IR-RGB-V NovaLum 375nm 55mW 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.375um 输出功率: 55mW

    IR-RGB-V Novalum允许客户通过选择各种波长来创建定制的八激光模块。当与多通道NECSEL智能控制器结合使用时,该激光器可轻松集成到OEM系统中。

  • 紫色激光二极管HL40053MG 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.404um 输出功率: 500mW

    紫色激光二极管。