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  • 激光二极管ftld-1600-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.600um 输出功率: 10mW

    FTLD-1600-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1620-01s-btf 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.620um 输出功率: 1mW

    FTLD-1620-01S-BTF是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-01S-BTF是连续单模注入半导体激光器。它采用蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1620-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.620um 输出功率: 5mW

    FTLD-1620-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1625-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.625um 输出功率: 5mW

    FTLD-1625-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1625-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.625um 输出功率: 10mW

    FTLD-1625-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1630-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.630um 输出功率: 5mW

    FTLD-1630-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1630nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1630-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 5mW

    FTLD-1650-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 10mW

    FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1660-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.660um 输出功率: 5mW

    FTLD-1660-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1660-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.660um 输出功率: 10mW

    FTLD-1660-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1670-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.670um 输出功率: 5mW

    FTLD-1670-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1670-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.670um 输出功率: 10mW

    FTLD-1670-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1690-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.690um 输出功率: 5mW

    FTLD-1690-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1690-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.690um 输出功率: 10mW

    FTLD-1690-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FVLD-375-200M 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.38um 输出功率: 200mW

    FVLD-375-200M是一款多模激光二极管,连续输出功率为200mW,波长为375nm。它采用5.6mm TO CAN封装,带有光电二极管和齐纳二极管。激光二极管适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FVLD-375-70S 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.38um 输出功率: 85mW

    FVLD-375-70S是一款连续输出功率为70mW的单模激光二极管输出功率为375nm。它采用5.6mm TO CAN封装,带有光电二极管和齐纳二极管。激光二极管适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FVLD-395-120S 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.4um 输出功率: 140mW

    FVLD-395-120S是单模激光二极管,功率为120mW395nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。激光二极管是适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FVLD-395-20S-AR初稿 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.4um 输出功率: 25mW

    FVLD-395-20S-AR是20mW的单模激光二极管395nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装,带有光电二极管和齐纳二极管。由于前端面涂有Ar涂层,该激光二极管特别适用于外腔激光器。

  • 激光二极管FVLD-405-1200M 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 1400mW

    FVLD-405-1200M是一款多模激光二极管,功率为1200mW。405nm连续波输出功率。它以9毫米到罐的形式提供。带齐纳二极管。激光二极管适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FVLD-405-120S 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 140mW

    FVLD-405-120S是单模激光二极管,功率为120mW405nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。激光二极管是适用于各种光电应用。