- 日本
- Toshiba Corporation
- Cyber Laser Inc
- Koshin Kogaku Co Ltd Sub of Yamaichi Electronics Co Ltd
- Kyosemi Opto America Corp
- Opto Science Inc
- Spectra Quest Lab Inc.
- 安立公司
- Furukawa Electric
- Gigaphoton
- Kimmon Koha
- Mitsubishi Electric
- Neoark Corporation
- Nichia Corporation
- NTT Electronics Corporation
- OXIDE Corporation
- Panasonic Corporation
- QD Laser
- Ricoh Company, Ltd.
- ROHM Semiconductor
- Santec Corporation
- Shinkoh Electronics
- Sony Semiconductor Solutions Corporation
- Spectronix
- Stanley Electric
- Toshiba Corporation
- 牛尾
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W来自东芝公司的TL1WK-LL1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为18.5 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W东芝公司生产的TL1WK-LW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为18.8 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。TL1WK-LW1，L的更多详细信息见下文。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.329, CY=0.342 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W东芝公司生产的TL1WK-NT1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为21.8 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。TL1WK-NT1，L的更多详细信息见下文。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W东芝公司的TL1WK-NW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为21.8 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W东芝公司生产的TL1WK-WH1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为20.7 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-DW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为22.9 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-LL1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为19.6 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-LW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为20.4 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-NW0，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为25.4 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-NW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为22.9 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-WH1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为22.9 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.307, CY=0.315 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 32 Degree C/W东芝公司生产的TL2WU-DWJ，L是一种LED，正向电压为2.5~3.0V，正向电流为20mA，光通量为1.8lm，发光强度CD为0.22cd，发光强度MCD为220mcd.下面可以看到TL2WU-DWJ，L的更多详细信息。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W来自东芝公司的TL3GB-DW1，L是一种LED，其正向电压为5.5至6.1 V，正向电流为200 mA，光通量为68 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W来自东芝公司的TL3GB-LL1，L是具有正向电压5.5至6.1V、正向电流200mA、光通量59.3lm、反向电压0.75V、工作温度-40至100℃的LED.
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W来自东芝公司的TL3GB-LW1，L是具有正向电压5.5至6.1V、正向电流200mA、光通量61.1lm、反向电压0.75V、工作温度-40至100℃的LED.
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W来自东芝公司的TL3GB-NW0，L是一种LED，其正向电压为5.5至6.1V，正向电流为200mA，光通量为72lm，反向电压为0.75V，工作温度为-40至100℃。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W来自东芝公司的TL3GB-NW1，L是一种LED，其正向电压为5.5至6.1V，正向电流为200mA，光通量为68lm，反向电压为0.75V，工作温度为-40至100℃。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W来自东芝公司的TL3GB-WH1，L是一种LED，其正向电压为5.5至6.1V，正向电流为200mA，光通量为66.3lm，反向电压为0.75V，工作温度为-40至100℃。