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  • FBLD-976-60W-FC105-VBG-6Pin 半导体激光器
    FBLD-976-60W-FC105-VBG-6Pin
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 976nm 输出功率: 60000mW 纤维芯直径: 105um

    波长稳定光纤耦合激光二极管

  • FBLD-976-70W-FC105-6Pin 半导体激光器
    FBLD-976-70W-FC105-6Pin
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 976nm 输出功率: 70000mW 纤维芯直径: 105um

    光纤耦合大功率激光二极管

  • FBLD-976-80W-FC105-0.15-VBG-6Pin 半导体激光器
    FBLD-976-80W-FC105-0.15-VBG-6Pin
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 976nm 输出功率: 80000mW 纤维芯直径: 105um

    波长稳定光纤耦合激光二极管

  • FBLD-976-85W-FC105-VBG-6Pin 半导体激光器
    FBLD-976-85W-FC105-VBG-6Pin
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 976nm 输出功率: 85000mW 纤维芯直径: 105um

    波长稳定光纤耦合激光二极管

  • FBLD-976-9W-FC105-VBG-2Pin 半导体激光器
    FBLD-976-9W-FC105-VBG-2Pin
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 976nm 输出功率: 9000mW 纤维芯直径: 105um

    波长稳定光纤耦合激光二极管

  • FDL-1010-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-1010-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 1.010um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-1010-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-1010-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 1.010um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-1060-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-1060-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 1.060um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-1060-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-1060-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 1.060um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-765-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-765-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.765um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主Oszillator功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPaseTUP的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光学陷阱或拉曼光谱。

  • FDL-765-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-765-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.765um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-765-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-765-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.765um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-765-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-765-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.765um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-780-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-780-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.780um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-780-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-780-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.780um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-780-2W-TA用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-780-2W-TA用于MOPA的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.780um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-780-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-780-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.780um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-785-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-785-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.785um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-785-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-785-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.785um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-785-2W-TA用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    FDL-785-2W-TA用于MOPA的锥形放大器
    德国
    分类：半导体激光器
    厂商：法兰克福激光公司
    中心波长: 0.785um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。