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  宽动态范围传感器NSC0803-SI

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.08MP # 像素 (H): 320 # 像素: 256 像素大小: 25um

  我们的NativeWide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的内部动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs2D探测器（短波红外传感器）。NativeWDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。

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  宽动态范围传感器NSC0806

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 10um

  我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

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  宽动态范围传感器NSC0902(C)

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 5.6um

  我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

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  宽动态范围传感器NSC1003(C)

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 1.3MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 6.8um

  我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

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  宽动态范围传感器NSC1005(C)

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.9MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 720 像素大小: 5.6um

  我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

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  宽动态范围传感器NSC1101-SI

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 15um

  我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

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  宽动态范围传感器NSC1104

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 15um

  我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

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  宽动态范围传感器NSC1105

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 1.3MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 10.6um

  我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

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  宽动态范围传感器NSC1201-SI

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 15um

  我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

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  宽动态范围传感器NSC1302(C)

  美国

  分类：CMOS图像传感器

  厂商：Pembroke Instruments, LLC

  传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 6.8um

  我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。