美国Vishay Intertechnology成像产品目录

BPV11F

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息，请联系我们。

BPW76A

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请联系我们。

BPW76B

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请联系我们。

BPW85

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW85是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85的更多详细信息，请联系我们。

BPW85A

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW85A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85A的更多详细信息，请联系我们。

BPW85B

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW85B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85B的更多详细信息，请联系我们。

BPW85C

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW85C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85C的更多详细信息，请联系我们。

T1070P

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的T1070P是一款光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.1 V，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为440至800 nm.有关T1070P的更多详细信息，请联系我们。

T1090P6

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的T1090P6是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为80 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为620至1000 nm.有关T1090P6的更多详细信息，请联系我们。

T5096P

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为85 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息，请联系我们。

TEFT4300

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息，请联系我们。

TEMT1000

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。

TEMT1020

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT1020是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1020的更多详细信息。

TEMT1030

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT1030是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1030的更多详细信息。

TEMT1040

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT1040是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1040的更多详细信息。

TEMT7100ITX01

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT7100ITX01是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20 V，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为100 MW，波长（光谱灵敏度）为750至1010 nm.有关TEMT7100ITX01的更多详细信息，请联系我们。

VEMT3700F

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管，光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片，并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极（C-E）击穿电压为70 V，C-E暗电流高达200 nA，C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs，截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装，尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm，非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。