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OP565B

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP565B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP565B的更多详情，请联系我们。

OP565C

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP565C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通集电极电流为1.1 mA.有关OP565C的更多详情，请联系我们。

OP580DA

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.15 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

来自TT Electronics的OP580DA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1µA，集电极发射极电压（饱和）1.7 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流10 mA.有关OP580DA的更多详细信息，请联系我们。

OP593A

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP593A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流3 mA.有关OP593A的更多详细信息，请联系我们。

OP593B

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP593B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2至4 mA.有关OP593B的更多详情，请联系我们。

OP593C

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP593C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1 mA.有关OP593C的更多详情，请联系我们。

OP598A

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP598A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）25 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流7.5 mA.有关OP598A的更多详情，请联系我们。

OP598B

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP598B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为5 mA至10 mA.有关OP598B的更多详细信息，请联系我们。

OP598C

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP598C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.5 mA.有关OP598C的更多详细信息，请联系我们。

OP599A

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP599A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.35 mA.有关OP599A的更多详细信息，请联系我们。

OP599B

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP599B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.2至3.85 mA.有关OP599B的更多详细信息，请联系我们。

OP599C

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP599C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.4至1.95 mA.有关OP599C的更多详细信息，请联系我们。

OP599D

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP599D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2 mA.有关OP599D的更多详细信息，请联系我们。

OP705A

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP705A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.95至12 mA.有关OP705A的更多详情，请联系我们。

OP705B

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP705B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.65至7.25 mA.有关OP705B的更多详情，请联系我们。

OP705C

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP705C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.50至4.85 mA.有关OP705C的更多详情，请联系我们。

OP705D

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP705D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至12 mA.有关OP705D的更多详情，请联系我们。

OP750A

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

TT Electronics的OP750A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP750A的更多详情，请联系我们。

OP750B

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP750B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP750B的更多详情，请联系我们。

OP750C

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP750C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至2.8 mA.有关OP750C的更多详情，请联系我们。