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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP535B概述
来自TT Electronics的OP535B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.5至32.0 mA.有关OP535B的更多详情，
OP535B参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photodarlington
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 15 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 2 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 3.5 to 32.0 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
OP535B规格书
OP535B厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- RPT-37PB3F光电晶体管ROHM Semiconductor
材料: Silicon
来自Rohm Semiconductor的RPT-37PB3F是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为32 V，集电极暗电流为0.5 uA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为150 MW.有关RPT-37PB3F的更多详细信息，请参阅下文。
- OP509C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
TT Electronics的OP509C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.7 mA.有关OP509C的更多详细信息，请参见下文。
- OP599D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP599D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2 mA.有关OP599D的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 303 FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 750 to 1120 nm
欧司朗的SFH 303 FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗200 MW.有关SFH 303 FA的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 3410光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 350 to 970 nm
来自OSRAM的SFH 3410是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为5.5 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为100 MV，发射极集电极电压（击穿）为0.5 V，波长（光谱灵敏度）为350至970 nm.有关SFH 3410的更多详细信息，请参阅下文。
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