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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
T5096P概述
T5096P参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Chip
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 85 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 50 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 7.8 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 480 to 1080 nm
T5096P规格书
T5096P厂家介绍
威世集团的成长历程始于一个人，Felix Zandman 博士和一项革命性技术。从那时起，经过数十年的发展壮大取得今天的成就：成为全球值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到被动组件，从体积较小的二极管到较强大的电容器，威世丰富的产品为现代技术步入人们的日常生活奠定了坚实的基础。我们将其称之为科技基因 The DNA of tech.™ 这种基因不仅是当今重要电子产品的基础设施，也是实现增长的平台。威世致力于推动可持续性、互联和移动等宏观经济因素的增长。通过研发、制造、设计、质量、销售和市场营销， 我们提供基本元件，帮助较早发现和创新者开发诸多领域新一代产品：汽车、工业、消费电子、计算机、通信、国防、航空航天和医疗。 通过与当今和未来具有电子创新影响力的厂商合作，我们努力推动工厂自动化、汽车电气化、5G 网络技术以及快速扩张的物联网 （IoT）等强劲增长领域的发展。这种多样性契机是威世蓬勃发展的动力，推动着威世着力于基因建设，助力客户和合作伙伴取得成功，构建更安全、可持续、高效的未来。 近六十年来，我们一直在构建科技基因 The DNA of tech.™
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图片名称分类制造商参数描述
- RPT-37PB3F光电晶体管ROHM Semiconductor
材料: Silicon
来自Rohm Semiconductor的RPT-37PB3F是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为32 V，集电极暗电流为0.5 uA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为150 MW.有关RPT-37PB3F的更多详细信息，请参阅下文。
- OP555D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP555D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP555D的更多详细信息，请参见下文。
- KPA-3010P3C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
来自KingbrightUSA的kPa-3010P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关kPa-3010P3C的更多详细信息，请参阅下文。
- L-3DP3BT光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息，请参阅下文。
- KPT801HB2光电晶体管Kyoto Semiconductors
波长（光谱灵敏度）: 700 to 1100 nm
Kyoto Semiconductors的KPT801HB2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为100至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为125 MW.有关KPT801HB2的更多详细信息，请参见下文。
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