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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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APL3015P3C概述
KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息，
APL3015P3C规格书
APL3015P3C厂家介绍
Kingbright是一家台湾LED解决方案提供商，拥有40多年的专业知识、创新和协作经验。我们始终追求卓越，在可见和不可见光谱中制造较全面、较可靠和较高质量的LED，以满足全球客户在所有行业的各种工程需求。我们致力于技术创新和质量卓越，通过我们在美国、欧洲和亚洲各地的销售办事处和仓库的卓越支持，确保产品的持续改进和客户满意度。
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图片名称分类制造商参数描述
- MTD8600N4-T光电晶体管Marktech Optoelectronics
材料: Metal波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息，请参阅下文。
- PT010-05光电晶体管Ushio Inc.
材料: Clear Epoxy Resin波长（光谱灵敏度）: 900 nm
Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息，请参阅下文。
- OP599B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP599B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.2至3.85 mA.有关OP599B的更多详细信息，请参见下文。
- OP775B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP775B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP775B的更多详情，请参见下文。
- NTE3120光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 800 nm
来自NTE Electronics，Inc的NTE3120是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为0.01至1 uA，集电极发射极电压（饱和）为1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1至3 mA.有关NTE3120的更多详细信息，请参阅下文。
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