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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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AM2520P3C03概述
KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息，
AM2520P3C03图片集
AM2520P3C03规格书
AM2520P3C03厂家介绍
Kingbright是一家台湾LED解决方案提供商，拥有40多年的专业知识、创新和协作经验。我们始终追求卓越，在可见和不可见光谱中制造较全面、较可靠和较高质量的LED，以满足全球客户在所有行业的各种工程需求。我们致力于技术创新和质量卓越，通过我们在美国、欧洲和亚洲各地的销售办事处和仓库的卓越支持，确保产品的持续改进和客户满意度。
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图片名称分类制造商参数描述
- TEMT1040光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 730 to 1000 nm
Vishay Intertechnology的TEMT1040是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1040的更多详细信息。
- OP750C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP750C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至2.8 mA.有关OP750C的更多详情，请参见下文。
- OP798B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP798B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流3.3至9.2 mA.有关OP798B的更多详情，请参见下文。
- NTE3031光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon
NTE Electronics，Inc的NTE3031是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息，请参阅下文。
- BPW37光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的BPW37是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW37的更多详细信息，请参阅下文。
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